公开(公告)号：CN104077998A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410062320.X

申请日：2014-02-24

Applicant: 索尼公司

Inventor： 木下智豊

IPC: G09G3/32

CPC classification number: H01L27/3265 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262

Abstract: 本发明提供了像素电路、显示装置和电子设备，它们通过适当地抑制采样晶体管的寄生电容的变化而抑制各像素的亮度变化。所述像素电路包括：第一晶体管，其具有导致寄生电容的第一偏差；和补偿元件，其具有导致用于补偿所述寄生电容的补偿电容的第二偏差。或者所述像素电路包括：第一晶体管；保持电容器；连接至所述保持电容器的第一金属部；以及第二金属部。此时，所述第一晶体管包括连接至所述第一金属部的沟道部，所述第一金属部包括第一边缘和与所述第一边缘相对的第二边缘，所述第一边缘被设置成与所述第一晶体管的栅极电极重叠，所述第二边缘被设置成与所述第二金属部重叠，并且所述第一晶体管的栅极电极和所述第二金属部是相同材料。

公开(公告)号：CN104377306A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201410389675.X

申请日：2014-08-08

Applicant: 索尼公司

Inventor： 山北茂洋 ,  松尾绘理 ,  西川宽 ,  新屋公启 ,  木下智豊 ,  西山优范 ,  和泉健一

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H05B33/12 ,  H05B33/04

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78606 ,  H01L51/5259

Abstract: 本发明提供了显示单元和具有该显示单元的电子装置。所述显示单元包括：氧化物半导体层，其用于形成沟道；第一层，具有电绝缘性或导电性；以及第二层，其包括氢吸收剂，并布置在所述氧化物半导体层和所述第一层之间。根据本发明，通过第二层吸附包含在显示单元中的或外部空气中的氢，进而降低由氧化物半导体层被暴露至氢而造成的特性劣化。