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公开(公告)号：CN112310073B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202010595016.7
申请日：2020-06-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 林正浩
Abstract: 提供半导体装置以及电源控制IC，该半导体装置具有：第1导电型的半导体衬底；第2导电型的第1杂质层，其形成在所述半导体衬底的表面；第1导电型的第2杂质层，其以包围所述第1杂质层的方式形成在所述半导体衬底的表面；绝缘膜，其至少覆盖所述第1杂质层；第1电阻元件，其设置在所述绝缘膜上，呈涡卷状；第2电阻元件，在俯视所述半导体衬底时，该第2电阻元件设置在所述第1杂质层的外侧；以及第1布线，其连接所述第1电阻元件的外周侧的端部和所述第2电阻元件。
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公开(公告)号：CN1290192C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN03106204.0
申请日：2003-02-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 林正浩
CPC classification number: H01L27/0928
Abstract: 本发明提供一种在同一衬底上具有不同驱动电压的高压晶体管和低压晶体管的半导体装置。该半导体装置包括：具有第一导电型的半导体衬底(10)；第一三重势阱(20)，其形成在半导体衬底上并包括具有第二导电型的第一势阱(22)，以及在该第一势阱内形成的具有第一导电型的第二势阱(24)；第二三重势阱(30)，其形成在半导体衬底上并包括具有第二导电型的第三势阱(32)，以及在该第三势阱内形成的具有第一导电型的第四势阱(34)；在第二势阱形成的具有第二导电型的低压晶体管(100N)；以及在第四势阱(34)形成的具有第二导电型的高压晶体管(300N)。第一三重势阱的第一势阱(22)中的杂质浓度比第二三重势阱的第三势阱(32)的杂质浓度要高。
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公开(公告)号：CN111682745A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010156762.6
申请日：2020-03-09
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H02M1/32 , H02M7/537 , H02P23/20 , H02P23/24 , H02P25/16 , H02P29/024 , H02P29/028 , H02P29/032
Abstract: 提供驱动控制装置、驱动电路以及移动体，驱动控制装置包含：第1输出节点，其与高侧晶体管的栅极节点连接；第2输出节点，其与驱动节点连接；第1晶体管，其设置在第1电源节点与所述第1输出节点之间；以及电流限制电路和第2晶体管，它们串联设置在第1输出节点与第2输出节点之间，电流限制电路将从驱动节点朝向第1输出节点的电流限制为规定值。电流限制电路例如是方向与第2晶体管相反的晶体管。
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公开(公告)号：CN1447417A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03120781.2
申请日：2003-03-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 林正浩
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L21/823418 , H01L21/823493
Abstract: 本发明提供了能够在同一半导体衬底上具有不同驱动电压的高压晶体管和低压晶体管的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法包括：(a)在第一导电型的半导体衬底(10)的特定区域内，形成包括第二导电型的杂质的第一势阱(12)；(b)在第一势阱的特定区域内，通过离子注入导入第一导电型的杂质形成第一杂质层；(c)在第一导电型的半导体层的特定区域内，通过离子注入导入第二导电型的杂质形成第二杂质层；(d)通过热处理，使第一杂质层及第二杂质层的杂质同时扩散，在第一势阱内形成第一导电型的第二势阱(20)，与此同时形成第二导电型的源极/漏极层的势阱状补偿层(40a)和(40b)。
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公开(公告)号：CN1444267A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN03104706.8
申请日：2003-02-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 林正浩
IPC: H01L21/82 , H01L21/266
CPC classification number: H01L21/823462 , H01L21/823493
Abstract: 本发明提供一种能够在同一个衬底上形成具有不同驱动电压的高压晶体管和低压晶体管的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法包括(a)在具有第一导电型的半导体衬底(10)的特定区域内，注入具有第二导电型的杂质，形成第一杂质层(20a)和第二杂质层(30a)；(b)在第二杂质层区域内，再注入具有第二导电型的杂质，形成第三杂质层(30b)；(c)通过热处理，使第一杂质层(20a)和第三杂质层(30b)的杂质扩散，形成具有第二导电型的第一势阱(20)以及杂质浓度高于第一势阱(20)的具有第二导电型的第二势阱(30)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1442887A
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN03106205.9
申请日：2003-02-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 林正浩
IPC: H01L21/266 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/823493 , H01L21/2652 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置的制造方法，该方法可以在包含多个离子注入步骤以及热处理步骤的三重势阱的制造过程中减少步骤数量。该半导体装置的制造方法包含以下步骤：(a)在半导体衬底(10)上形成具有第一开口部分(14)的第一掩膜层(12)；(b)在第一开口部分的半导体衬底(10)的裸面上形成第一绝缘层(16)；(c)通过第一绝缘层(16)将第二导电型的第一杂质导入半导体衬底形成杂质层；(d)通过施行热处理形成第一势阱(24)，与此同时，在第一开口部分的半导体衬底的裸面上形成第二绝缘层(22)；(e)在第一掩膜层上形成具有第二开口部分(28)的第二掩膜层(26)；(f)通过第二绝缘层将第一导电型的第二杂质(32)导入半导体衬底，在第一势阱(24)内形成第二势阱。
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公开(公告)号：CN111682745B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202010156762.6
申请日：2020-03-09
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H02M1/32 , H02M7/537 , H02P23/20 , H02P23/24 , H02P25/16 , H02P29/024 , H02P29/028 , H02P29/032
Abstract: 提供驱动控制装置、驱动电路以及移动体，驱动控制装置包含：第1输出节点，其与高侧晶体管的栅极节点连接；第2输出节点，其与驱动节点连接；第1晶体管，其设置在第1电源节点与所述第1输出节点之间；以及电流限制电路和第2晶体管，它们串联设置在第1输出节点与第2输出节点之间，电流限制电路将从驱动节点朝向第1输出节点的电流限制为规定值。电流限制电路例如是方向与第2晶体管相反的晶体管。
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公开(公告)号：CN1291494C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN03106203.2
申请日：2003-02-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 林正浩
CPC classification number: H01L27/0928
Abstract: 本发明提供了一种在同一衬底上具有不同驱动电压的高压晶体管和低压晶体管的半导体装置。该半导体装置包括具有第一导电型的半导体衬底(10)；在半导体衬底(10)上形成的具有第二导电型的第一势阱(20)；三重势阱(30)，其形成在半导体衬底(10)上并包括具有第二导电型的第二势阱(32)，以及在该第二势阱(32)内形成的具有第一导电型的第三势阱(34)；在第一势阱(20)内形成的具有第一导电型低压晶体管(100P)；在半导体衬底上形成的有第二导电型的低压晶体管(200N)；在三重势阱(30)的第二势阱(32)处形成的具有第一导电型高压晶体管(400P)；在三重势阱的第三势阱(34)处形成的具有第二导电型高压晶体管(300N)。第一势阱(20)中的杂质浓度比三重势阱(30)的第二势阱(32)的杂质浓度要高。
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公开(公告)号：CN1447418A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03120827.4
申请日：2003-03-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 林正浩
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L21/823892
Abstract: 本发明提供一种在同一衬底上具有不同驱动电压的高压晶体管和低压晶体管的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法包括：(a)在第一导电型的半导体衬底10的特定区域内，导入第二导电型的杂质，形成第一势阱20；(b)在半导体衬底10的特定区域内，导入第二导电型的杂质，形成与第一势阱20杂质浓度不同的第二势阱30；以及(c)在第一势阱20的特定区域内，导入第一导电型的杂质，形成第三势阱50。
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公开(公告)号：CN1442904A
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN03106203.2
申请日：2003-02-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 林正浩
CPC classification number: H01L27/0928
Abstract: 本发明提供了一种在同一衬底上具有不同驱动电压的高压晶体管和低压晶体管的半导体装置。该半导体装置包括具有第一导电型的半导体衬底(10)；在半导体衬底(10)上形成的具有第二导电型的第一势阱(20)；三重势阱(30)，其形成在半导体衬底(10)上并包括具有第二导电型的第二势阱(32)，以及在该第二势阱(32)内形成的具有第一导电型的第三势阱(34)；在第一势阱(20)内形成的具有第一导电型低压晶体管(100P)；在半导体衬底上形成的有第二导电型的低压晶体管(200N)；在三重势阱(30)的第二势阱(32)处形成的具有第一导电型高压晶体管(400P)；在三重势阱的第三势阱(34)处形成的具有第二导电型高压晶体管(300N)。第一势阱(20)中的杂质浓度比三重势阱(30)的第二势阱(32)的杂质浓度要高。
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