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公开(公告)号：CN1297580A
公开(公告)日：2001-05-30
申请号：CN00800367.X
申请日：2000-01-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L27/0255
Abstract: 本发明的静电保护电路具有:被施加第1电压的第1电源端子1;被施加比第1电压低的第2电压的第2电源端子2;在第1、第2电源端子之间反向连接的第1二极管12;以及在第1、第2电源端子之间正向连接的第2二极管11。通过这样做,对于施加到第1、第2电源端子之间的静电,无论是正负哪种极性的电荷,对于其电荷第1、第2二极管的一方一定成为正向。从而,起因子静电的电荷经过对于其电荷成为正向的二极管被迅速地吸收、消失。
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公开(公告)号：CN111682745B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202010156762.6
申请日：2020-03-09
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H02M1/32 , H02M7/537 , H02P23/20 , H02P23/24 , H02P25/16 , H02P29/024 , H02P29/028 , H02P29/032
Abstract: 提供驱动控制装置、驱动电路以及移动体，驱动控制装置包含：第1输出节点，其与高侧晶体管的栅极节点连接；第2输出节点，其与驱动节点连接；第1晶体管，其设置在第1电源节点与所述第1输出节点之间；以及电流限制电路和第2晶体管，它们串联设置在第1输出节点与第2输出节点之间，电流限制电路将从驱动节点朝向第1输出节点的电流限制为规定值。电流限制电路例如是方向与第2晶体管相反的晶体管。
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公开(公告)号：CN111682745A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010156762.6
申请日：2020-03-09
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H02M1/32 , H02M7/537 , H02P23/20 , H02P23/24 , H02P25/16 , H02P29/024 , H02P29/028 , H02P29/032
Abstract: 提供驱动控制装置、驱动电路以及移动体，驱动控制装置包含：第1输出节点，其与高侧晶体管的栅极节点连接；第2输出节点，其与驱动节点连接；第1晶体管，其设置在第1电源节点与所述第1输出节点之间；以及电流限制电路和第2晶体管，它们串联设置在第1输出节点与第2输出节点之间，电流限制电路将从驱动节点朝向第1输出节点的电流限制为规定值。电流限制电路例如是方向与第2晶体管相反的晶体管。
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公开(公告)号：CN1181548C
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN00800367.X
申请日：2000-01-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L27/0255
Abstract: 本发明的一种半导体集成电路，具有在绝缘层上具有硅层的硅上绝缘体的衬底，和在上述硅上绝缘体的衬底上形成的静电保护电路，其特征在于：上述静电保护电路具有：被施加笫1电压的第1电源端子；被施加比上述第1电压低的第2电压的第2电源端子；在上述第1、第2电源端子之间反向连接的第1二极管；以及在上述第1、第2电源端子之间正向连接的第2二极管，将上述第2二极管的正向压降电压设定为比供给上述第1、笫2电源端子之间的驱动电压高。
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