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公开(公告)号:CN106206932A
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201610191452.1
申请日:2016-03-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L41/187
CPC classification number: H01L41/18 , B41J2/14233 , B41J2002/14241 , B41J2202/03 , H01L41/047 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1873 , H01L41/317 , H01L41/318
Abstract: 本发明的目的在于使用铌酸钾钠系压电材料的压电元件和压电元件应用设备中,实现压电体层的晶体取向性的提高、实现各种特性的提高等。压电元件(300)具备:在基板上形成的第1电极(60);在上述第1电极(60)上形成的由含有钾(K)、钠(Na)、铌(Nb)和锰(Mn)的ABO3型钙钛矿结构的复合氧化物构成的压电体层(70);以及在上述压电体层上形成的第2电极(80),其中,上述锰包含2价锰(Mn2+)、3价锰(Mn3+)和4价锰(Mn4+),上述2价锰相对于上述3价锰和上述4价锰之和的摩尔比(Mn2+/Mn3++Mn4+)为0.31以上。
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公开(公告)号:CN106206932B
公开(公告)日:2019-01-15
申请号:CN201610191452.1
申请日:2016-03-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L41/187
Abstract: 本发明的目的在于使用铌酸钾钠系压电材料的压电元件和压电元件应用设备中,实现压电体层的晶体取向性的提高、实现各种特性的提高等。压电元件(300)具备:在基板上形成的第1电极(60);在上述第1电极(60)上形成的由含有钾(K)、钠(Na)、铌(Nb)和锰(Mn)的ABO3型钙钛矿结构的复合氧化物构成的压电体层(70);以及在上述压电体层上形成的第2电极(80),其中,上述锰包含2价锰(Mn2+)、3价锰(Mn3+)和4价锰(Mn4+),上述2价锰相对于上述3价锰和上述4价锰之和的摩尔比(Mn2+/Mn3++Mn4+)为0.31以上。
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公开(公告)号:CN117457311A
公开(公告)日:2024-01-26
申请号:CN202310919007.2
申请日:2023-07-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 提供一种兼顾高磁导率和低矫顽力的无定形合金软磁性粉末、压粉磁芯和磁性元件、以及能够实现高输出化的电子设备。无定形合金软磁性粉末由下述粒子构成,其组成式以原子数比表示为(Fe1‑xCrx)a(Si1‑yBy)100‑a‑bCb[x、y、a及b为0<x≤0.06,0.3≤y≤0.7,70.0≤a≤81.0,0<b≤3.0],在将分析深度设定为块进行XAFS测定时,所得到的Fe‑K吸收端XANES光谱具有:第一吸收端结构,包含存在于7113±1eV范围内的峰A;以及第一连续带结构,位于比第一吸收端结构更高能量侧,在将第一连续带结构的强度设为1时,7113eV处的峰A的强度为0.60以上0.90以下。
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公开(公告)号:CN117457310A
公开(公告)日:2024-01-26
申请号:CN202310913864.1
申请日:2023-07-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01F1/22
Abstract: 提供一种兼顾高磁导率和低矫顽力的无定形合金软磁性粉末、包含其的压粉磁芯和磁性元件、以及能够实现高输出化的电子设备。无定形合金软磁性粉末的特征在于,由下述的粒子构成,该粒子具有以原子数比表示的组成式Fea(Si1‑xBx)bCc[其中,a、b、c和x为76.0≤a≤81.0,16.0≤b≤22.0,0<c≤3.0,0.5≤x≤0.9。]的组成,并且,在将分析深度设定为表面进行XAFS测定时,所得到的Si‑K吸收端XANES光谱具有存在于能量为1845±1eV的范围内的峰A和存在于能量为1848±1eV的范围内的峰B,在将所述峰A的强度设为A、将所述峰B的强度设为B时,强度比A/B为0.25以下。
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公开(公告)号:CN116504481A
公开(公告)日:2023-07-28
申请号:CN202310113010.5
申请日:2023-01-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供一种兼顾高饱和磁通密度和低矫顽力的非晶合金软磁性粉末、压粉磁芯、磁性元件及电子设备。非晶合金软磁性粉末,具有(FexCo1‑x)100‑(a+b)(SiyB1‑y)aMb表示的组成,M为选自由C、S、P、Sn、Mo、Cu及Nb构成的组的至少一种,x、y、a及b为0.73≤x≤0.85、0.02≤y≤0.10、13.0≤a≤19.0、0≤b≤2.0,对粒子进行XAFS测定后得到的Si‑K吸收端XANES光谱具有1842±1eV处存在的峰A、1845±1eV处存在的峰B和1848±1eV处存在的峰C,强度比A/C为0.40以下,强度比B/C为0.60以下。
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