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公开(公告)号：CN1716718A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510077685.0
申请日：2005-06-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01S5/18344 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/18313 , H01S2301/176
Abstract: 本发明公开了一种可提高可靠性的光元件及其制造方法。该光元件(100)包括：基板(110)；柱状部(130)，在基板(110)上方形成，并具有用于光发射和入射的上表面(132)；树脂层(140)，包括形成在基板(110)的上方的柱状部(130)的周围的第一部分(142)，以及在柱状部(130)的上表面(132)的端部形成的第二部分(144)；以及电极(150)，其经过树脂层(140)的第一及第二部分(142)、(144)的上方，并电连接至柱状部(130)的上表面(132)中的暴露区域的端部。
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公开(公告)号：CN111095699B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201880059277.8
申请日：2018-09-05
Abstract: 发光装置具有：基体；层叠体，其设置于所述基体，具有多个柱状部；以及电极，其设置在所述层叠体的与所述基体侧相反的一侧，所述柱状部具有：第1半导体层；第2半导体层，其导电型与所述第1半导体层不同；以及有源层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，所述层叠体具有：光传播层，其设置在相邻的所述柱状部的所述有源层之间；第1低折射率部，其设置在所述光传播层与所述基体之间，具有比所述光传播层的折射率低的折射率；以及第2低折射率部，其设置在所述光传播层与所述电极之间，具有比所述光传播层的折射率低的折射率。
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公开(公告)号：CN1719674A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200510080778.9
申请日：2005-07-05
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01S5/18313 , H01L2224/18 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/18344 , H01S2301/176 , Y10T428/24612
Abstract: 本发明公开了一种可提高可靠性的光元件及其制造方法。该光元件(100)包括：基板(110)；柱状部(130)，在基板(110)上方形成，并具有用于光发射和入射的上表面(132)；树脂层(140)，形成在基板(110)的上方包含柱状部(130)的周围的区域；增强层(180)，形成在树脂层(140)的上方，由比树脂层(140)硬的材料构成；电极(150)，具有形成在增强层(180)的上方的连接部(156)，并电连接至柱状部(130)的上表面(132)中的暴露区域的端部。
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公开(公告)号：CN111095699A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880059277.8
申请日：2018-09-05
Abstract: 发光装置具有：基体；层叠体，其设置于所述基体，具有多个柱状部；以及电极，其设置在所述层叠体的与所述基体侧相反的一侧，所述柱状部具有：第1半导体层；第2半导体层，其导电型与所述第1半导体层不同；以及有源层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，所述层叠体具有：光传播层，其设置在相邻的所述柱状部的所述有源层之间；第1低折射率部，其设置在所述光传播层与所述基体之间，具有比所述光传播层的折射率低的折射率；以及第2低折射率部，其设置在所述光传播层与所述电极之间，具有比所述光传播层的折射率低的折射率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103943765B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201410022897.8
申请日：2014-01-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G03B21/2033 , B82Y20/00 , G03B21/2066 , H01L33/0045 , H01L33/10 , H01S5/0203 , H01S5/028 , H01S5/1003 , H01S5/101 , H01S5/1071 , H01S5/162 , H01S5/34326
Abstract: 本发明提供一种发光装置，该发光装置能够抑制在光的行进方向发生变化的光波导通路的第1反射部中发生COD破坏。本发明涉及的发光装置100包括活性层106、和夹持活性层106的第1包覆层104和第2包覆层108，活性层106构成使光波进行传导的光波导通路160，光波导通路160为在被设置在活性层106的第1侧面131并使光反射的第1反射部190，在光波导通路160传导的光波的行进方向发生变化，从活性层106和第1包覆层104的层叠方向观察，第1反射部190位于设置有第1包覆层104和第2包覆层108的区域的外侧。
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公开(公告)号：CN111279565B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN201880069581.0
申请日：2018-10-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01S5/20 , G02F1/13357 , G03B21/00 , G03B21/14 , H01S5/30
Abstract: 提供能够减少电极对光的吸收的发光装置。发光装置具有：基体；以及层叠体，其设置于所述基体，所述层叠体具有：第1半导体层；第2半导体层，其导电型与所述第1半导体层不同；以及活性层，其设置于所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，所述第1半导体层设置于所述基体与所述活性层之间，在所述层叠体的与所述基体侧相反的一侧设置有凹部，在所述凹部设置有折射率比所述第2半导体层的折射率低的低折射率部，所述凹部的深度为所述层叠体的与所述基体侧相反的一侧的面和所述活性层之间的距离以下，在所述层叠体的与所述基体侧相反的一侧设置有电极。
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公开(公告)号：CN111279565A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201880069581.0
申请日：2018-10-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01S5/20 , G02F1/13357 , G03B21/00 , G03B21/14 , H01S5/30
Abstract: 提供能够减少电极对光的吸收的发光装置。发光装置具有：基体；以及层叠体，其设置于所述基体，所述层叠体具有：第1半导体层；第2半导体层，其导电型与所述第1半导体层不同；以及活性层，其设置于所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，所述第1半导体层设置于所述基体与所述活性层之间，在所述层叠体的与所述基体侧相反的一侧设置有凹部，在所述凹部设置有折射率比所述第2半导体层的折射率低的低折射率部，所述凹部的深度为所述层叠体的与所述基体侧相反的一侧的面和所述活性层之间的距离以下，在所述层叠体的与所述基体侧相反的一侧设置有电极。
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公开(公告)号：CN103943765A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410022897.8
申请日：2014-01-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G03B21/2033 , B82Y20/00 , G03B21/2066 , H01L33/0045 , H01L33/10 , H01S5/0203 , H01S5/028 , H01S5/1003 , H01S5/101 , H01S5/1071 , H01S5/162 , H01S5/34326
Abstract: 本发明提供一种发光装置，该发光装置能够抑制在光的行进方向发生变化的光波导通路的第1反射部中发生COD破坏。本发明涉及的发光装置100包括活性层106、和夹持活性层106的第1包覆层104和第2包覆层108，活性层106构成使光波进行传导的光波导通路160，光波导通路160为在被设置在活性层106的第1侧面131并使光反射的第1反射部190，在光波导通路160传导的光波的行进方向发生变化，从活性层106和第1包覆层104的层叠方向观察，第1反射部190位于设置有第1包覆层104和第2包覆层108的区域的外侧。
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公开(公告)号：CN100409515C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200510080778.9
申请日：2005-07-05
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01S5/18313 , H01L2224/18 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/18344 , H01S2301/176 , Y10T428/24612
Abstract: 本发明公开了一种可提高可靠性的光元件及其制造方法。该光元件(100)包括：基板(110)；柱状部(130)，在基板(110)上方形成，并具有用于光发射和入射的上表面(132)；树脂层(140)，形成在基板(110)的上方包含柱状部(130)的周围的区域；增强层(180)，形成在树脂层(140)的上方，由比树脂层(140)硬的材料构成；电极(150)，具有形成在增强层(180)的上方的连接部(156)，并电连接至柱状部(130)的上表面(132)中的暴露区域的端部。
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