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    电光装置及电子设备
    1.
    发明公开
    电光装置及电子设备 有权

    公开(公告)号：CN103176323A

    公开(公告)日：2013-06-26

    申请号：CN201310077412.0

    申请日：2008-08-07

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 中川雅嗣

    IPC: G02F1/1362

    Abstract: 本发明涉及电光装置及电子设备。在液晶装置等的电光装置中，提高相对于晶体管的遮光性，并使开口率提高。电光装置，在基板（10）上，具备：电连接于数据线（6a）的晶体管（30），对应于晶体管所设置的像素电极（9a），覆盖晶体管的半导体层地所设置的遮光部（11），与遮光部重叠地所设置、形成于比像素电极下层侧且比半导体层上层侧的第1导电膜（71），和通过层间绝缘膜（42）形成于比第1导电膜上层侧并通过接触孔（84）与第1导电膜电连接的第2导电膜（91）。进而，遮光部，具有伸出于对应于像素电极的各像素的开口区域的角落的伸出部分（11t）；接触孔，以基板上俯视，与伸出部分至少部分性地重叠。

    电光装置及电子设备
    2.
    发明公开
    电光装置及电子设备 失效

    公开(公告)号：CN101206363A

    公开(公告)日：2008-06-25

    申请号：CN200710198867.2

    申请日：2007-12-14

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 中川雅嗣

    IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  G09F9/35

    Abstract: 本发明涉及电光装置及电子设备。本发明的电光装置，在基板(10)上具有数据线(6a)及扫描线(11)；与数据线及扫描线的交叉点对应设置的像素电极(9a)；和晶体管(30)，设置在把像素的开口区域隔开的非开口区域内与上述交叉点对应的交叉区域，包含(i)半导体层(1a)，经过扫描线和绝缘膜(12)配置不同的层上，沿着数据线延伸的Y方向延伸，(ii)栅极电极(3)，对于半导体层配置在与扫描线相反一侧的层上。另外，在绝缘膜中，形成在电气上连接栅极电极和扫描线用的接触孔(810)，具有在半导体层侧方沿着Y方向延长的第1部分(811)、和与扫描线的一部分重叠的同时沿着扫描线延伸的X方向延长的第2部分(812)。

    电光装置和电子设备以及电光装置的制造方法
    4.
    发明公开
    电光装置和电子设备以及电光装置的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1713059A

    公开(公告)日：2005-12-28

    申请号：CN200510079633.7

    申请日：2005-06-23

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 中川雅嗣

    IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  G09F9/00

    CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/136213

    Abstract: 在电光装置中，在不产生其他不良状况的情况下抑制光漏电流的产生、使高品质的显示成为可能。在基板上，具备其构成为包括具有沟道区的半导体层的薄膜晶体管、通过薄膜晶体管进行驱动的显示用电极、叠层到半导体层的上层侧和下层侧中的至少一方上的层间绝缘膜、叠层到该层间绝缘膜的与半导体层侧相反的一侧的用来对沟道区进行遮光的遮光膜。在层间绝缘膜的与半导体层相反的一侧的表面，在沟道区中至少能够对沟道区的边缘部分遮光的区域，形成有朝向半导体层局部地凹陷的凹部。遮光膜至少在凹部内形成。

    电光装置及电子设备
    5.
    发明授权
    电光装置及电子设备 有权

    公开(公告)号：CN103176323B

    公开(公告)日：2016-05-11

    申请号：CN201310077412.0

    申请日：2008-08-07

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 中川雅嗣

    IPC: G02F1/1362

    Abstract: 本发明涉及电光装置及电子设备。在液晶装置等的电光装置中，提高相对于晶体管的遮光性，并使开口率提高。电光装置，在基板（10）上，具备：电连接于数据线（6a）的晶体管（30），对应于晶体管所设置的像素电极（9a），覆盖晶体管的半导体层地所设置的遮光部（11），与遮光部重叠地所设置、形成于比像素电极下层侧且比半导体层上层侧的第1导电膜（71），和通过层间绝缘膜（42）形成于比第1导电膜上层侧并通过接触孔（84）与第1导电膜电连接的第2导电膜（91）。进而，遮光部，具有伸出于对应于像素电极的各像素的开口区域的角落的伸出部分（11t）；接触孔，以基板上俯视，与伸出部分至少部分性地重叠。

    电光装置和电子设备以及电光装置的制造方法
    8.
    发明授权
    电光装置和电子设备以及电光装置的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN100403147C

    公开(公告)日：2008-07-16

    申请号：CN200510079633.7

    申请日：2005-06-23

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 中川雅嗣

    IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  G09F9/00

    CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/136213

    Abstract: 在电光装置中，在不产生其他不良状况的情况下抑制光漏电流的产生、使高品质的显示成为可能。在基板上，具备其构成为包括具有沟道区的半导体层的薄膜晶体管、通过薄膜晶体管进行驱动的显示用电极、叠层到半导体层的上层侧和下层侧中的至少一方上的层间绝缘膜、叠层到该层间绝缘膜的与半导体层侧相反的一侧的用来对沟道区进行遮光的遮光膜。在层间绝缘膜的与半导体层相反的一侧的表面，在沟道区中至少能够对沟道区的边缘部分遮光的区域，形成有朝向半导体层局部地凹陷的凹部。遮光膜至少在凹部内形成。

    电光装置、电子设备
    9.
    发明授权
    电光装置、电子设备 有权 转让

    公开(公告)号：CN103034009B

    公开(公告)日：2017-07-21

    申请号：CN201210370959.5

    申请日：2012-09-28

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 中川雅嗣

    IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/133 ,  G09G3/36

    CPC classification number: G02F1/1345 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/123 ,  G09G3/36 ,  G09G3/3688 ,  G09G2300/0426

    Abstract: 提供一种电光装置、具备该电光装置的电子设备，上述电光装置改善了由起因于数据线的布线结构的寄生电容而产生的条纹状的系列的显示不均。作为电光装置的液晶装置100包括：供给图像信号的图像信号线111；数据线6a；和作为第1及第2晶体管的采样晶体管(S‑TFT)71，电连接于数据线6a和图像信号线111之间，并向数据线6a供给图像信号；其中，包括：S‑TFT71的栅电极和数据线6a隔着绝缘膜重叠的重叠量不同的至少2种S‑TFT71。由此，在栅电极和数据线6a之间产生寄生电容，通过使重叠量不同，可调整各个数据线6a在结构上具有的寄生电容，可改善条纹状的系列的显示不均。

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