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公开(公告)号:CN1392569A
公开(公告)日:2003-01-22
申请号:CN02124364.6
申请日:2002-06-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 提供在老化筛选中,能防止由于地址端子和数据输入(输入输出)端子等受损而导致的成品率下降的半导体存储器。在老化筛选状态中,SRAM芯片以基于计数器(T触发器(120-0~120-17))的来自外部的时钟信号的计数为基础,生成地址(A0′)信号~地址(A18′)信号。通过用解码器把该地址信号解码,来选择构成存储单元阵列的各存储单元(MC)的地址。然后,以来自T触发器(120-18)的输出端子(Q18)的信号为基础,生成数据(D1′)信号~数据(D16′)信号。通过把该数据信号的数据写入所选择的存储单元(MC)中,来进行老化筛选。
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公开(公告)号:CN1182539C
公开(公告)日:2004-12-29
申请号:CN02124364.6
申请日:2002-06-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 提供在老化筛选中,能防止由于地址端子和数据输入(输入输出)端子等受损而导致的成品率下降的半导体存储器。在老化筛选状态中,SRAM芯片以基于计数器(T触发器(120-0~120-17))的来自外部的时钟信号的计数为基础,生成地址(A0′)信号~地址(A18′)信号。通过用解码器把该地址信号解码,来选择构成存储单元阵列的各存储单元(MC)的地址。然后,以来自T触发器(120-18)的输出端子(Q18)的信号为基础,生成数据(D1′)信号~数据(D16′)信号。通过把该数据信号的数据写入所选择的存储单元(MC)中,来进行老化筛选。
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