公开(公告)号：CN104109589A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201310567460.8

申请日：2013-11-14

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 裵镇希 ,  李汉松 ,  任浣熙 ,  金古恩 ,  郭泽秀 ,  金补宣 ,  金相均 ,  罗隆熙 ,  朴银秀 ,  徐珍雨 ,  宋炫知 ,  赵娟振 ,  韩权愚 ,  黄丙奎

IPC: C11D7/26 ,  C11D7/24 ,  C11D7/50 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0206 ,  C08G77/54 ,  C08G77/62 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  C11D7/266 ,  C11D7/5022 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供了用于绝缘膜的清洗液以及清洗绝缘膜的方法。公开了包含由以下化学式表示的溶剂的用于绝缘层的清洗液、以及利用所述清洗液清洗绝缘层的方法。在化学式1中，R1和Ra至Re与在详细描述中所定义的相同。

公开(公告)号：CN101796101B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN200780100521.2

申请日：2007-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 禹昌秀 ,  成现芋 ,  裵镇希 ,  鱼东善 ,  金钟涉

IPC: C08G77/04

CPC classification number: C08G77/50 ,  C08L83/14

Abstract: 本发明提供了一种新颖且具有用于半导体器件的优异的填隙特性的有机硅烷聚合物，以及包括该聚合物的组合物。该组合物可通过一般的旋涂技术，在半导体基材中完全填充直径70nm或更少且长径比(即高度(或深度)/直径比)为1或更高的孔洞，且无任何缺陷，例如无空气孔隙。该聚合物具有宽的分子量范围，其可实现完全填隙。此外，在利用烘烤而固化之后，该组合物可通过利用氢氟酸溶液的处理，完全从孔洞中移除，而不留下任何残余物。再者，该组合物在储存期间非常地稳定。

公开(公告)号：CN102569060B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201110430768.9

申请日：2011-12-20

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹熙灿 ,  郭泽秀 ,  金奉焕 ,  裵镇希 ,  吴正堈 ,  林相学 ,  韩东一 ,  金相均 ,  李真旭

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02282 ,  B05D5/00 ,  B05D5/12 ,  B32B9/00 ,  C08G77/54 ,  C08G77/62 ,  C08L83/14 ,  C08L83/16 ,  C09D183/00 ,  C09D183/02 ,  C09D183/08 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明涉及形成硅氧层的组合物及其生产方法、利用其的硅氧层及生产硅氧层的方法。更具体地，本文公开了一种用于形成硅氧层的组合物，其包含选自氢化聚硅氮烷、氢化聚硅氧硅氮烷以及它们的组合中的一种，其中折算为聚苯乙烯时，重均分子量大于或等于约50000的氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧硅氮烷的总和的浓度范围为小于或等于约0.1wt％。当利用根据本发明的包括氢化聚硅氧硅氮烷的用于形成硅氧层的组合物来形成硅氧层时，缺陷显著减少，从而提高硅氧层所需的绝缘特性和间隙填充性能。

公开(公告)号：CN101796101A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200780100521.2

申请日：2007-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 禹昌秀 ,  成现芋 ,  裵镇希 ,  鱼东善 ,  金钟涉

IPC: C08G77/04

CPC classification number: C08G77/50 ,  C08L83/14

Abstract: 本发明提供了一种新颖且具有用于半导体器件的优异的填隙特性的有机硅烷聚合物，以及包括该聚合物的组合物。该组合物可通过一般的旋涂技术，在半导体基材中完全填充直径70nm或更少且长径比(即高度(或深度)/直径比)为1或更高的孔洞，且无任何缺陷，例如无空气孔隙。该聚合物具有宽的分子量范围，其可实现完全填隙。此外，在利用烘烤而固化之后，该组合物可通过利用氢氟酸溶液的处理，完全从孔洞中移除，而不留下任何残余物。再者，该组合物在储存期间非常地稳定。

公开(公告)号：CN104620326B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201380044747.0

申请日：2013-08-16

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹熙灿 ,  郭泽秀 ,  金美英 ,  林相学 ,  韩权愚 ,  金古恩 ,  金奉焕 ,  金相均 ,  罗隆熙 ,  朴银秀 ,  裵镇希 ,  宋炫知 ,  李汉松 ,  洪承希

IPC: H01B3/46 ,  C08L83/08

Abstract: 本发明提供一种用于氧化硅类绝缘层的组成物及其制造方法，并揭示一种氧化硅类绝缘层及其制造方法。本发明提供的用于氧化硅类绝缘层的组成物，包括氢化聚硅氮烷或氢化聚硅氧氮烷，且具有浓度为1,200ppm或小于1,200ppm的环状化合物，所述环状化合物的重量平均分子量为400或小于400。所述用于氧化硅类绝缘层的组成物可减小氧化硅类绝缘层形成期间的厚度分布，由此减少在半导体制造制程期间的化学机械抛光(CMP)制程之后在层中的缺陷。

公开(公告)号：CN102585516B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201110425397.5

申请日：2011-12-16

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 林相学 ,  金奉焕 ,  吴正堈 ,  郭泽秀 ,  裵镇希 ,  尹熙灿 ,  韩东一 ,  金相均 ,  李真旭

IPC: C08L83/14 ,  C08G77/54 ,  H01L21/31 ,  H01L27/108

CPC classification number: C08G77/54 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法。该组合物包括氢化聚硅氧硅氮烷，该氢化聚硅氧硅氮烷包括化学式1的部分和化学式2的部分，且氯浓度为1ppm或更低。在化学式1和2中，R1至R7各自独立为氢、取代或未取代C1至C30烷基、取代或未取代C3至C30环烷基、取代或未取代C6至C30芳基、取代或未取代C7至C30芳烷基、取代或未取代C1至C30杂烷基、取代或未取代C2至C30杂环烷基、取代或未取代C2至C30烯基、取代或未取代烷氧基、取代或未取代羰基、羟基或它们的组合，条件是R1至R7中至少一个为氢。利用本发明组合物可形成有少量缺陷的硅基绝缘层。

公开(公告)号：CN102874813B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201210241251.X

申请日：2012-07-11

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 朴银秀 ,  金奉焕 ,  林相学 ,  郭泽秀 ,  裵镇希 ,  尹熙灿 ,  金相均 ,  李真旭

IPC: H01L21/02 ,  C01B33/00

CPC classification number: C08G77/62 ,  C01B21/087 ,  H01L28/90

Abstract: 本发明公开了一种填充间隙的填料、其制备方法及制造半导体电容器的方法。所述填充间隙的填料包含由下列化学式1表示的化合物：[化学式1]SiaNbOcHd在化学式1中，1.96＜a＜2.68，1.78＜b＜3.21，0≤c＜0.19，且4＜d＜10。

公开(公告)号：CN104684968A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201380049625.0

申请日：2013-07-15

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 宋炫知 ,  朴银秀 ,  林相学 ,  郭泽秀 ,  金古恩 ,  金美英 ,  金补宣 ,  金奉焕 ,  罗隆熙 ,  裵镇希 ,  徐珍雨 ,  尹熙灿 ,  李汉松 ,  田钟大 ,  韩权愚 ,  洪承希 ,  黄丙奎

IPC: C08G77/38 ,  C08G77/26 ,  C08L83/08 ,  H01B3/46

CPC classification number: C08G77/54 ,  C08G77/60 ,  C08G77/62 ,  C09D183/02 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01B3/02 ,  H01B3/303 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0229 ,  H01L21/02326

Abstract: 本发明揭示了一种藉由氢化聚硅氧氮烷和选自聚硅烷、聚环硅烷与硅烷低聚物的硅烷化合物的反应而制备的改质氢化聚硅氧氮烷。改质氢化聚硅氧氮烷的氮原子相较于硅原子有较小的摩尔数比，且从而，改质氢化聚硅氧氮烷可应用在用于形成氧化硅为主的绝缘层的组合物中，用以形成氧化硅为主的绝缘层时，可以显著降低膜收缩率。

公开(公告)号：CN102874813A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210241251.X

申请日：2012-07-11

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 朴银秀 ,  金奉焕 ,  林相学 ,  郭泽秀 ,  裵镇希 ,  尹熙灿 ,  金相均 ,  李真旭

IPC: C01B33/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: C08G77/62 ,  C01B21/087 ,  H01L28/90

Abstract: 本发明公开了一种填充间隙的填料、其制备方法及制造半导体电容器的方法。所述填充间隙的填料包含由下列化学式1表示的化合物：[化学式1]SiaNbOcHd在化学式1中，1.96＜a＜2.68，1.78＜b＜3.21，0≤c＜0.19，且4＜d＜10。

公开(公告)号：CN102585516A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110425397.5

申请日：2011-12-16

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 林相学 ,  金奉焕 ,  吴正堈 ,  郭泽秀 ,  裵镇希 ,  尹熙灿 ,  韩东一 ,  金相均 ,  李真旭

IPC: C08L83/14 ,  C08G77/54 ,  H01L21/31 ,  H01L27/108

CPC classification number: C08G77/54 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法。该组合物包括氢化聚硅氧硅氮烷，该氢化聚硅氧硅氮烷包括化学式1的部分和化学式2的部分，且氯浓度为1ppm或更低。在化学式1和2中，R1至R7各自独立为氢、取代或未取代C 1至C30烷基、取代或未取代C3至C30环烷基、取代或未取代C6至C30芳基、取代或未取代C7至C30芳烷基、取代或未取代C 1至C30杂烷基、取代或未取代C2至C30杂环烷基、取代或未取代C2至C30烯基、取代或未取代烷氧基、取代或未取代羰基、羟基或它们的组合，条件是R1至R7中至少一个为氢。利用本发明组合物可形成有少量缺陷的硅基绝缘层。 、 如下所示。