公开(公告)号：CN103794675B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201210418424.0

申请日：2012-10-26

Applicant: 第一太阳能马来西亚有限公司

Inventor： 金益腾 ,  黄群健 ,  林川 ,  费萨尔.艾哈迈德 ,  辛骞骞

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L21/02551 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02612 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1828 ,  H02S50/00 ,  H02S50/10 ,  Y02E10/543

Abstract: 本发明涉及一种用来在基体上形成一层材料的方法，该方法包括以下步骤：将具有熔点或最小软化温度的半导体多晶或无定形材料的材料源与基体接触；在一个时间段内使所述材料源和基体之间形成一个温度差，其中，所述材料源的温度处于第一温度范围，其平均温度为第一平均温度，所述基体的温度处于第二温度范围，其平均温度为第二平均温度，所述第一平均温度高于所述第二平均温度，且低于所述半导体多晶或无定形材料的熔点或最小软化温度，使得所述材料源上的一部分半导体多晶或无定形材料转移到所述基体上；以及将所述材料源从所述基体上分开，获得一个表面形成有一层所述半导体多晶或无定形材料的基体。

公开(公告)号：CN103855232B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201210524534.5

申请日：2012-12-07

Applicant: 第一太阳能马来西亚有限公司

Inventor： 曹金波 ,  蔡钟佑 ,  威廉.H.胡贝尔 ,  辛骞骞 ,  徐晟

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0445 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 提出了一种光伏器件。该光伏器件包括第一半导体层、第二半导体层和布置在第一半导体层和第二半导体层之间的夹层，其中，该夹层包括镁。还提出了制造光伏器件的方法。

公开(公告)号：CN104183663B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310190090.0

申请日：2013-05-21

Applicant: 第一太阳能马来西亚有限公司

Inventor： 巴斯提安.柯雷法尔 ,  黄群健 ,  金益腾 ,  辛骞骞

IPC: H01L31/073 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0336 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明涉及光伏器件，其包括：支撑层；含有镉、碲、铜，且为n‑型的第一层；含有镉、碲、铜，且为p‑型的第二层；以及透明导电氧化物层。本发明也涉及制备光伏器件的方法，其包括：提供具有含镉和碲的层以及在含镉和碲的层上的含铜层的元件；以及将元件加温退火形成分别含有镉、碲、铜的第一层和第二层，第一层为n‑型，第二层为p‑型。