公开(公告)号：CN107615500A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201780001729.2

申请日：2017-01-10

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 佐佐木拓 ,  石丸维敏

IPC: H01L35/26 ,  B82Y30/00 ,  H01L35/22 ,  H01L35/34 ,  H01L51/00 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: B82Y30/00 ,  H01L35/22 ,  H01L35/26 ,  H01L35/34 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明提供一种热电转换材料，其能够提高应力缓和性，且也能够提高隔热性。本发明的热电转换材料1含有碳纳米管，具有最长直径为500nm以下的多个第一空隙和最长直径为2.5μm以上的多个第二空隙。

公开(公告)号：CN102844843A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201180009374.4

申请日：2011-02-08

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 石丸维敏

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6839 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种能够将粘接剂层(3)高精度地进行切片，能够提高带粘接剂层的半导体芯片的拾取性的切片及芯片键合带。切片及芯片键合带(1)具备粘接剂层、和叠层于粘接剂层的一面(3a)的基体材料层(4)。在进行切片时，在基体材料层的外周部分贴合切片环(26)。基体材料层在外周部分具有贴合起点(4C)。将除贴合起点外的部分的基体材料层的贴合于切片环的部分的宽度设为W(mm)、将除贴合起点外的部分的基体材料层的外径设为D(mm)时，从基体材料层的贴合起点侧的外周前端朝向内侧处于0.3W(mm)的距离的位置的贴合起点的长度L(mm)在0.30D~0.44D(mm)的范围内。

公开(公告)号：CN107851702A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680045836.0

申请日：2016-12-27

Applicant: 积水化学工业株式会社 ,  国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学

Inventor： 石丸维敏 ,  野野口斐之 ,  河合壮

IPC: H01L35/22 ,  B82Y30/00 ,  H01L35/26 ,  H01L35/34 ,  H01L51/00 ,  H01L51/30

CPC classification number: B82Y30/00 ,  H01L35/22 ,  H01L35/26 ,  H01L35/34 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明提供一种能够提高导电性，且能够提高塞贝克系数的热电转换材料。本发明的热电转换材料1含有碳纳米管，通过拉曼光谱测定的G/D比为25以上，电导率为500S/cm以上，塞贝克系数为50μV/K以上。