用于对多位电荷俘获存储单元阵列编程的方法

    公开(公告)号:CN1892908A

    公开(公告)日:2007-01-10

    申请号:CN200610101605.5

    申请日:2006-06-30

    Inventor: T·勒尔 J·韦勒

    CPC classification number: G11C16/12

    Abstract: 编程电压被施加到源极和漏极,以便在存储单元的沟道的一端处产生热空穴注入。通过将中间抑制电压施加到邻近的位线来避免不期望的对相邻存储单元的编程。这通过将所有位线预充电到抑制电压来完成,即或者通过接连地将抑制电压单独施加到每条位线、或者通过将较高和较低编程电压都施加到一半位线并然后短路所有位线以产生中间电压来完成。

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