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公开(公告)号：CN1893083A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610100187.8
申请日：2006-06-30
Applicant: 秦蒙达股份公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/60 , H01L27/10852
Abstract: 公开了一种DRAM堆叠电容器及其其制造方法。该DRAM堆叠电容器形成有包括导电碳层的第一电容器电极、电容器介电层和第二电容器电极。
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