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公开(公告)号：CN107850858B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201680046414.5
申请日：2016-08-12
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027 , H01L21/66
Abstract: 本发明揭示一种光刻系统，其包含照明源及一组投影光学器件。所述照明源将照明光束从离轴照明极点引导到图案掩模。所述图案掩模包含一组图案元件，所述组图案元件产生包含来自所述照明极点的照明的一组衍射光束。由所述组投影光学器件接收的所述组衍射光束中的至少两个衍射光束非对称地分布于所述组投影光学器件的光瞳面中。所述组衍射光束中的所述至少两个衍射光束非对称地入射于样本上以形成对应于所述组图案元件的图像的一组制造元件。样本上的所述组制造元件包含沿所述组投影光学器件的光学轴的样本的位置的一或多个指示符。
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公开(公告)号：CN107850858A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680046414.5
申请日：2016-08-12
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027 , H01L21/66
Abstract: 本发明揭示一种光刻系统，其包含照明源及一组投影光学器件。所述照明源将照明光束从离轴照明极点引导到图案掩模。所述图案掩模包含一组图案元件，所述组图案元件产生包含来自所述照明极点的照明的一组衍射光束。由所述组投影光学器件接收的所述组衍射光束中的至少两个衍射光束非对称地分布于所述组投影光学器件的光瞳面中。所述组衍射光束中的所述至少两个衍射光束非对称地入射于样本上以形成对应于所述组图案元件的图像的一组制造元件。样本上的所述组制造元件包含沿所述组投影光学器件的光学轴的样本的位置的一或多个指示符。
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公开(公告)号：CN107533995B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201680025324.8
申请日：2016-05-07
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 在本文中呈现用于监测特性化制造在半导体晶片上的不同位置处的一组热点结构的参数的方法及系统。所述热点结构是展现对工艺变化的敏感性且引起必须执行以防止装置故障及低良率的对可允许工艺变化的限制的装置结构。采用经训练热点测量模型以接收通过一或多个计量系统在一或多个计量目标处产生的测量数据且直接确定一或多个热点参数的值。训练所述热点测量模型以建立考虑中的热点结构的一或多个特性与相关联于相同晶片上的至少一个计量目标的测量的对应测量数据之间的函数关系。基于经测量热点参数的所述值来调整制造工艺参数。
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公开(公告)号：CN107533995A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680025324.8
申请日：2016-05-07
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 在本文中呈现用于监测特性化制造在半导体晶片上的不同位置处的一组热点结构的参数的方法及系统。所述热点结构是展现对工艺变化的敏感性且引起必须执行以防止装置故障及低良率的对可允许工艺变化的限制的装置结构。采用经训练热点测量模型以接收通过一或多个计量系统在一或多个计量目标处产生的测量数据且直接确定一或多个热点参数的值。训练所述热点测量模型以建立考虑中的热点结构的一或多个特性与相关联于相同晶片上的至少一个计量目标的测量的对应测量数据之间的函数关系。基于经测量热点参数的所述值来调整制造工艺参数。
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