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公开(公告)号：CN110062180B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910251964.6
申请日：2016-05-13
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H04N5/3722 , G01N21/956
Abstract: 本申请涉及用于检查的具有电可控制孔径的传感器及计量系统。通过将更负控制电压施加到像素的电阻式控制栅极的中心区域及将更正控制电压施加到该栅极的端部分实现线性传感器中的像素孔径大小调整。这些控制电压引起该电阻式控制栅极产生电场，该电场将在像素的光敏区域的选定部分中产生的光电子驱动到电荷积累区域中以用于后续测量，且驱动在像素的光敏区域的其它部分中产生的光电子远离该电荷积累区域以用于后续舍弃或同时读出。系统利用光学器件以将以不同角度或在不同位置接收的光从样本引导到每一像素的光敏区域的对应不同部分中。多个孔径控制电极经选择性地致动以收集/测量从窄或宽角度或者位置范围接收的光，借此实现快速图像数据调整。
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公开(公告)号：CN109076179A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780021422.9
申请日：2017-04-05
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H04N5/372 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 一种双列并行图像CCD传感器利用双列并行读出电路，所述双列并行读出电路包含两对交叉连接的转移门以在高速度下以低噪声将像素数据(电荷)从一对邻近像素列交替地转移到共享输出电路。沿着所述两个邻近像素列以线时钟速率转移的电荷通过所述转移门交替地传递到求和门，所述求和门以所述线时钟速率的两倍的速率操作以将所述图像电荷传递到所述共享输出电路。在一个实施例中，利用对称Y形扩散部来合并来自所述两个像素列的所述图像电荷。本发明也描述一种用线时钟同步来驱动所述双列并行CCD传感器的方法。本发明也描述一种使用所述双列并行CCD传感器来检验样本的方法。
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公开(公告)号：CN113169201B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201980079474.0
申请日：2019-12-11
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明揭示一种图像传感器，其利用纯硼层及具有p型掺杂剂浓度梯度的第二外延层以增强感测DUV、VUV或EUV辐射。在第一外延层的上表面上制造感测(电路)元件及相关联金属互连件，接着在所述第一外延层的下表面上形成所述第二外延层，且接着在所述第二外延层上形成纯硼层。通过系统地增加在所述第二外延层的沉积/生长期间使用的气体中的p型掺杂剂的浓度而产生所述p型掺杂剂浓度梯度，使得所述第二外延层的最低p型掺杂剂浓度紧邻于与所述第一外延层的界面而出现且使得所述第二外延层的最高p型掺杂剂浓度紧邻于与所述纯硼层的界面而出现。
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公开(公告)号：CN109076179B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201780021422.9
申请日：2017-04-05
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H04N5/372 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 一种双列并行图像CCD传感器利用双列并行读出电路，所述双列并行读出电路包含两对交叉连接的转移门以在高速度下以低噪声将像素数据(电荷)从一对邻近像素列交替地转移到共享输出电路。沿着所述两个邻近像素列以线时钟速率转移的电荷通过所述转移门交替地传递到求和门，所述求和门以所述线时钟速率的两倍的速率操作以将所述图像电荷传递到所述共享输出电路。在一个实施例中，利用对称Y形扩散部来合并来自所述两个像素列的所述图像电荷。本发明也描述一种用线时钟同步来驱动所述双列并行CCD传感器的方法。本发明也描述一种使用所述双列并行CCD传感器来检验样本的方法。
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公开(公告)号：CN110164745A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910348546.9
申请日：2015-08-28
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/28 , H01J49/02 , H01L27/146 , G01T1/24 , G01N30/72
Abstract: 本发明涉及一种扫描式电子显微镜及检验及复检样本的方法，所述扫描式电子显微镜并入多像素固态电子检测器。所述多像素固态检测器可检测反向散射及/或次级电子。所述多像素固态检测器可并入模/数转换器及其它电路。所述多像素固态检测器可能够大致确定入射电子的能量及/或可含有用于处理或分析电子信号的电路。所述多像素固态检测器适合于高速操作，例如，以约100MHz或更高的速度。所述扫描式电子显微镜可用于复检、检验或测量样本，例如未经图案化的半导体晶片、经图案化的半导体晶片、光罩或光掩模。本发明还描述一种复检或检验样本的方法。
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公开(公告)号：CN106133911A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580013656.X
申请日：2015-03-13
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： 勇-霍·亚历克斯·庄 , 张璟璟 , 约翰·费尔登
IPC: H01L27/146 , H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种高灵敏度图像传感器，其包括本征或轻p掺杂(例如小于约1013cm‑3的掺杂水平)外延硅层。在所述外延层的前侧上制造CMOS或CCD电路。在所述外延层的背侧上生长p及n型外延层。纯硼层沉积于所述n型外延层上。在所述硼沉积过程期间，一些硼从所述背侧被驱动到所述n型外延层中达数纳米。抗反射涂层可被涂覆到所述纯硼层。在所述传感器的操作期间，数十到数百伏特的负偏压电压被施加到所述硼层，以使光子‑电子远离所述背侧表面加速且因雪崩效应而产生额外电子。接地p阱在需要时保护有源电路使其免受所述经反向加偏压外延层的影响。
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公开(公告)号：CN112424906B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201980041049.2
申请日：2019-06-17
IPC: H01J40/06 , H01J43/08 , H01L31/0216 , H01L31/103
Abstract: 本发明揭示一种用于电子或短波长光的图像传感器，其包含半导体薄膜、在所述半导体薄膜的表面上形成的电路元件及所述半导体薄膜的另一表面上的纯硼层。所述电路元件由包括耐火金属的金属互连件连接。抗反射或保护层可在所述纯硼层的顶部上形成。此图像传感器即使以高通量连续使用多年也具有高效率及良好稳定性。所述图像传感器可使用CCD(电荷耦合装置)或CMOS(互补金属氧化物半导体)技术来制造。所述图像传感器可为二维区域传感器或一维阵列传感器。
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公开(公告)号：CN112424906A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980041049.2
申请日：2019-06-17
IPC: H01J40/06 , H01J43/08 , H01L31/0216 , H01L31/103
Abstract: 本发明揭示一种用于电子或短波长光的图像传感器，其包含半导体薄膜、在所述半导体薄膜的表面上形成的电路元件及所述半导体薄膜的另一表面上的纯硼层。所述电路元件由包括耐火金属的金属互连件连接。抗反射或保护层可在所述纯硼层的顶部上形成。此图像传感器即使以高通量连续使用多年也具有高效率及良好稳定性。所述图像传感器可使用CCD(电荷耦合装置)或CMOS(互补金属氧化物半导体)技术来制造。所述图像传感器可为二维区域传感器或一维阵列传感器。
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公开(公告)号：CN110062180A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910251964.6
申请日：2016-05-13
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H04N5/3722 , G01N21/956
Abstract: 本申请涉及用于检查的具有电可控制孔径的传感器及计量系统。通过将更负控制电压施加到像素的电阻式控制栅极的中心区域及将更正控制电压施加到该栅极的端部分实现线性传感器中的像素孔径大小调整。这些控制电压引起该电阻式控制栅极产生电场，该电场将在像素的光敏区域的选定部分中产生的光电子驱动到电荷积累区域中以用于后续测量，且驱动在像素的光敏区域的其它部分中产生的光电子远离该电荷积累区域以用于后续舍弃或同时读出。系统利用光学器件以将以不同角度或在不同位置接收的光从样本引导到每一像素的光敏区域的对应不同部分中。多个孔径控制电极经选择性地致动以收集/测量从窄或宽角度或者位置范围接收的光，借此实现快速图像数据调整。
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公开(公告)号：CN106575594A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580042995.0
申请日：2015-08-28
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/28
Abstract: 本发明涉及一种扫描式电子显微镜，其并入多像素固态电子检测器。所述多像素固态检测器可检测反向散射及/或次级电子。所述多像素固态检测器可并入模/数转换器及其它电路。所述多像素固态检测器可能够大致确定入射电子的能量及/或可含有用于处理或分析电子信号的电路。所述多像素固态检测器适合于高速操作，例如，以约100MHz或更高的速度。所述扫描式电子显微镜可用于复检、检验或测量样本，例如未经图案化的半导体晶片、经图案化的半导体晶片、光罩或光掩模。本发明还描述一种复检或检验样本的方法。
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