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公开(公告)号：CN101849281A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200780100449.3
申请日：2007-08-28
IPC: H01L21/208 , H01L33/00 , H01L21/302 , H01L51/56
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3283 , H01L51/0005
Abstract: 一种制造有机电子器件或者光电器件的方法，所述方法包括以下步骤：(a)提供其表面形成有多个堤部的基底，在所述多个堤部之间形成有交替的井孔形成物，所述堤部的表面上形成有一定尺寸的压印形成物，所述压印形成物为所述堤部的表面提供了与所述井孔表面不同的选定润湿特性；以及(b)将有机溶液沉积到所述井孔形成物中，其中所述堤部的润湿特性使得任何沉积在其上的有机溶液至少被部分排斥。
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公开(公告)号：CN101849281B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200780100449.3
申请日：2007-08-28
IPC: H01L21/208 , H01L33/00 , H01L21/302 , H01L51/56
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3283 , H01L51/0005
Abstract: 一种制造有机电子器件或者光电器件的方法，所述方法包括以下步骤：(a)提供其表面形成有多个堤部的基底，在所述多个堤部之间形成有交替的井孔形成物，所述堤部的表面上形成有一定尺寸的压印形成物，所述压印形成物为所述堤部的表面提供了与所述井孔表面不同的选定润湿特性；以及(b)将有机溶液沉积到所述井孔形成物中，其中所述堤部的润湿特性使得任何沉积在其上的有机溶液至少被部分排斥。
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公开(公告)号：CN101061058B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200580023116.6
申请日：2005-05-24
CPC classification number: A61M25/00 , B27N3/08 , B28B3/06 , B81C99/0085 , B81C2201/034 , B81C2203/032 , B81C2203/038 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , Y10T428/24479 , Y10T428/254
Abstract: 本发明涉及微米或纳米级压印方法以及使用这些方法来构造支撑和/或自支撑3-D聚合物、陶瓷和/或金属微米和/或纳米结构的用途。在一些实施例中，采用双模方法来构成这些结构。在这类方法中，用表面处理来将不同的表面能量加到不同的模具上和/或模具的不同部分上。这种表面处理能通过压印来形成三维(3-D)结构并能使这种结构转移到一个基片上。在某些或者其它的实施例中，这种表面处理以及所用聚合物玻璃转变温度的变化有助于将这种3D结构从模具上分开从而形成单独的和/或在一膜中形成自支撑微米和/或纳米结构。在某些或者是其它的实施例中，利用一种“扣上”组合技术来形成支撑和/或自支撑堆栈式微米和/或纳米结构，其能在没有玻璃转变温度的情况下组装聚合物并消除组装热塑性聚合物所需的加热。
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公开(公告)号：CN101061058A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200580023116.6
申请日：2005-05-24
CPC classification number: A61M25/00 , B27N3/08 , B28B3/06 , B81C99/0085 , B81C2201/034 , B81C2203/032 , B81C2203/038 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , Y10T428/24479 , Y10T428/254
Abstract: 本发明涉及微米或纳米级压印方法以及使用这些方法来构造支撑和/或自支撑3－D聚合物、陶瓷和/或金属微米和/或纳米结构的用途。在一些实施例中，采用双模方法来构成这些结构。在这类方法中，用表面处理来将不同的表面能量加到不同的模具上和/或模具的不同部分上。这种表面处理能通过压印来形成三维(3－D)结构并能使这种结构转移到一个基片上。在某些或者其它的实施例中，这种表面处理以及所用聚合物玻璃转变温度的变化有助于将这种3D结构从模具上分开从而形成单独的和/或在一膜中形成自支撑微米和/或纳米结构。在某些或者是其它的实施例中，利用一种“扣上”组合技术来形成支撑和/或自支撑堆栈式微米和/或纳米结构，其能在没有玻璃转变温度的情况下组装聚合物并消除组装热塑性聚合物所需的加热。
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