栅极驱动欠压检测
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105281552A

    公开(公告)日:2016-01-27

    申请号:CN201510415688.4

    申请日:2015-07-15

    Abstract: 用于逆变器的栅极驱动故障被检测,逆变器包含具有绝缘栅(比如IGBT)的相位开关。互补晶体管对适合于接收供给电压和脉冲宽度调制(PWM)信号以选择地给绝缘栅充电和放电。比较器将绝缘栅处的电压和表示栅极驱动故障的基准电压进行比较,以产生第一逻辑信号。当PWM信号具有对应于给绝缘栅充电的值时,锁存器采样第一逻辑信号。当锁存逻辑信号指示栅极驱动故障时,逻辑电路抑制绝缘栅的充电。小于基准电压的绝缘栅电压表示欠压故障以及IGBT或互补晶体管的其它设备故障。

    带半导体装置冷却布置的变速驱动桥

    公开(公告)号:CN110435445A

    公开(公告)日:2019-11-12

    申请号:CN201910350314.7

    申请日:2019-04-28

    Abstract: 本公开提供了“带半导体装置冷却布置的变速驱动桥”。本公开涉及一种包括变速驱动桥的机动车辆以及相应的方法,所述变速驱动桥具有用于诸如IGBT或MOSFET等半导体装置的冷却布置。特别地,本公开涉及一种机动车辆(诸如电气化车辆),其包括变速驱动桥、安装在所述变速驱动桥附近的多个半导体装置,和冷却流体源。所述半导体装置暴露于来自所述源的流入所述变速驱动桥的流体。

    栅极驱动欠压检测
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105281552B

    公开(公告)日:2020-03-03

    申请号:CN201510415688.4

    申请日:2015-07-15

    Abstract: 用于逆变器的栅极驱动故障被检测,逆变器包含具有绝缘栅(比如IGBT)的相位开关。互补晶体管对适合于接收供给电压和脉冲宽度调制(PWM)信号以选择地给绝缘栅充电和放电。比较器将绝缘栅处的电压和表示栅极驱动故障的基准电压进行比较,以产生第一逻辑信号。当PWM信号具有对应于给绝缘栅充电的值时,锁存器采样第一逻辑信号。当锁存逻辑信号指示栅极驱动故障时,逻辑电路抑制绝缘栅的充电。小于基准电压的绝缘栅电压表示欠压故障以及IGBT或互补晶体管的其它设备故障。

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