利用表面活性剂敏化反应进行铜离子检测的检测方法

    公开(公告)号:CN110132913A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910335893.8

    申请日:2019-04-24

    Abstract: 本发明涉及一种利用表面活性剂敏化反应进行铜离子检测的检测方法,该方法利用铜离子对过氧化氢的催化作用,在待测溶液、邻苯二胺、过氧化氢的混合反应体系中,加入非离子表面活性剂作为胶束剂,并借助荧光分光光度计,实现对待测溶液中铜离子的检测;本发明利用非离子表面活性剂可以明显增强铜离子催化过氧化氢氧化邻苯二胺的反应,使反应产物的荧光信号灵敏度大幅度提升,另外,本发明操作简单、检测灵敏度高且选择性良好,具有简便快速、成本低廉、灵敏稳定等优点,因此,本发明提出的铜离子检测法有望在环境、食品等实际样品的检测中得到进一步应用。

    氮化碳纳米片耦合适配体传感的赭曲霉毒素A荧光检测方法

    公开(公告)号:CN109668864A

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201811533463.9

    申请日:2018-12-14

    Abstract: 本发明涉及一种氮化碳纳米片耦合适配体传感的赭曲霉毒素A荧光检测方法,该方法利用适配体与g-C3N4纳米片(CNNS)的相互作用以及g-C3N4纳米片对荧光发光团的淬灭作用,并结合适配体特异性识别赭曲霉毒素A的特性,构建信号增强型的赭曲霉毒素A荧光检测方法;其中,所述适配体的序列如下:5’-GATCGGTGTGGGTGGCGTAAAGGGAGCATCGGACA-FAM-3’。此方法操作简单、背景信号较低,检测限低且选择性良好。

    一种利用CTAB改善反应微环境进行铜离子定性及定量检测的检测方法

    公开(公告)号:CN110243777A

    公开(公告)日:2019-09-17

    申请号:CN201910544320.6

    申请日:2019-06-21

    Abstract: 本发明涉及一种利用CTAB改善反应微环境进行铜离子定性及定量检测的检测方法,该方法利用铜离子对过氧化氢的催化作用,在碱性条件下,在待测溶液、TMB以及过氧化氢的混合反应体系中,加入CTAB作为胶束剂,通过目视法观察溶液是否变黄,实现对待测溶液中铜离子的定性分析,之后利用紫外分光光度计测定反应后的溶液在405nm处的吸光度值,实现对待测溶液中铜离子的定量检测;本发明因CTAB的存在使得TMB及其反应产物在碱性环境中得到极大稳定,且显色反应得到极大稳定,溶液显色后48小时内都没发现变混浊或者褪色的现象,该检测方法还具有很强的抗干扰能力。

    利用表面活性剂敏化反应进行铜离子检测的检测方法

    公开(公告)号:CN110132913B

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN201910335893.8

    申请日:2019-04-24

    Abstract: 本发明涉及一种利用表面活性剂敏化反应进行铜离子检测的检测方法,该方法利用铜离子对过氧化氢的催化作用,在待测溶液、邻苯二胺、过氧化氢的混合反应体系中,加入非离子表面活性剂作为胶束剂,并借助荧光分光光度计,实现对待测溶液中铜离子的检测;本发明利用非离子表面活性剂可以明显增强铜离子催化过氧化氢氧化邻苯二胺的反应,使反应产物的荧光信号灵敏度大幅度提升,另外,本发明操作简单、检测灵敏度高且选择性良好,具有简便快速、成本低廉、灵敏稳定等优点,因此,本发明提出的铜离子检测法有望在环境、食品等实际样品的检测中得到进一步应用。

    基于纳米CuO/Nafion膜修饰电极的地黄苷D电化学传感器

    公开(公告)号:CN110006979B

    公开(公告)日:2021-09-24

    申请号:CN201910148301.1

    申请日:2019-02-28

    Abstract: 本发明提供了一种纳米CuO/Nafion膜修饰电极,它是以纳米CuO和Nafion乙醇溶液组成的悬浮液作为修饰液,滴涂于经α‑Al2O3粉末打磨抛光,稀硫酸溶液活化的金电极表面,挥干后制备而成的修饰电极。本发明的修饰电极,制作简单,基于纳米CuO/Nafion膜修饰电极的地黄苷D电化学传感器,能用于地黄药材中地黄苷D的检测,还能用于地黄伪品锁阳药材的快速鉴别,且在检测时重复性好、检测迅速。经试验证明:本发明的运用CuO/Nafion膜修饰电极检测地黄中地黄苷D的方法,加标回收率为97.71%~106.5%,方法准确、精确度高,实际可行,具有良好的应用前景。

    一种水溶性荧光硅点及其制备方法以及应用

    公开(公告)号:CN108844937A

    公开(公告)日:2018-11-20

    申请号:CN201810889395.3

    申请日:2018-08-07

    CPC classification number: G01N21/6428

    Abstract: 本发明涉及一种水溶性荧光硅点及其制备方法以及应用,该水溶性荧光硅点,以(3-氨基丙基)三甲氧基硅烷为前躯体,以阿魏酸为还原剂,利用水热反应合成得到,该荧光硅点可应用于芦丁含量的检测及芦丁和槲皮素的鉴别。该荧光硅点具有性能稳定、绿色环保的优点,且制备方法简单。该荧光硅点作为光谱信号探针,可在血清体系或含有少量BSA的磷酸盐缓冲液体系中实现对芦丁的检测,且包括槲皮素在内的其他常见的中药活性物质对该检测结果没有明显干扰作用。本发明的检测方法具有快速简单、检测灵敏度好,选择性高等优点,克服了常规检测方法灵敏度差、干扰大、前处理复杂、或仪器昂贵等缺点,这种检测方法是一种简便实用的药物分析定量技术。

    一种目标物介导的荧光比率型传感器检测赭曲霉素A的检测方法

    公开(公告)号:CN109884009B

    公开(公告)日:2021-03-02

    申请号:CN201910147148.0

    申请日:2019-02-27

    Abstract: 本发明涉及一种目标物介导的荧光比率型传感器检测赭曲霉素A的检测方法,该方法利用目标物赭曲霉素A诱导介孔硅球释放钌联吡啶以及荧光硅量子点与钌联吡啶之间具有荧光能量转移的特点,构建荧光比率型传感器对赭曲霉素A进行检测;其中,所述介孔硅球为适配体封闭钌联吡啶填充的氨基功能化的介孔硅球,所述适配体的序列为:5’‑GATCGGGTGTGGGTGGCGTAAAGGGAG CATCGGACA‑3'。该检测方法无需对识别OTA的适配体序列进行标记,不仅节约了检测的成本,更避免了因对适配体标记所引起的亲和能力的下降。

    基于纳米CuO/Nafion膜修饰电极的地黄苷D电化学传感器

    公开(公告)号:CN110006979A

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201910148301.1

    申请日:2019-02-28

    Abstract: 本发明提供了一种纳米CuO/Nafion膜修饰电极,它是以纳米CuO和Nafion乙醇溶液组成的悬浮液作为修饰液,滴涂于经α-Al2O3粉末打磨抛光,稀硫酸溶液活化的金电极表面,挥干后制备而成的修饰电极。本发明的修饰电极,制作简单,基于纳米CuO/Nafion膜修饰电极的地黄苷D电化学传感器,能用于地黄药材中地黄苷D的检测,还能用于地黄伪品锁阳药材的快速鉴别,且在检测时重复性好、检测迅速。经试验证明:本发明的运用CuO/Nafion膜修饰电极检测地黄中地黄苷D的方法,加标回收率为97.71%~106.5%,方法准确、精确度高,实际可行,具有良好的应用前景。

    一种目标物介导的荧光比率型传感器检测赭曲霉素A的检测方法

    公开(公告)号:CN109884009A

    公开(公告)日:2019-06-14

    申请号:CN201910147148.0

    申请日:2019-02-27

    Abstract: 本发明涉及一种目标物介导的荧光比率型传感器检测赭曲霉素A的检测方法,该方法利用目标物赭曲霉素A诱导介孔硅球释放钌联吡啶以及荧光硅量子点与钌联吡啶之间具有荧光能量转移的特点,构建荧光比率型传感器对赭曲霉素A进行检测;其中,所述介孔硅球为适配体封闭钌联吡啶填充的氨基功能化的介孔硅球,所述适配体的序列为:5’-GATCGGGTGTGGGTGGCGTAAAGGGAGCATCGGACA-3'。该检测方法无需对识别OTA的适配体序列进行标记,不仅节约了检测的成本,更避免了因对适配体标记所引起的亲和能力的下降。

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