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公开(公告)号：CN114293172A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202210024954.0
申请日：2022-01-11
Applicant: 福州大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/448 , C25D11/26
Abstract: 本发明提供了一种二硫化钼图形的制备方法，该制备方法包括以下过程：裁剪合适大小的Mo箔图形；利用电化学阳极氧化法氧化Mo箔图形；采用改进的化学气相沉积法生长MoS2图形。该方法用于制备MoS2图形具有操作简便、实用性高、图案多样、位置灵活并且可以制备大面积薄层均匀的MoS2薄膜图形等优点。
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