一种金属性二碲化物的制备方法

    公开(公告)号:CN113173562A

    公开(公告)日:2021-07-27

    申请号:CN202110536232.9

    申请日:2021-05-17

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种金属性二碲化物的制备方法,其是将钼源粉末或钨源粉末与Te粉研磨混合后,将所得混合粉末均匀铺在基底材料上,再在其上倒扣一相同基底材料,以构建限域生长空间,最后将其进行高温退火,得到相应的MoTe2纳米带或WTe2纳米带。本发明具有操作简便、生长方法不受基底类型限制、便于后续电学性能测试等优点,且所得金属性MoTe2或WTe2具有优良的电化学析氢催化性能。

    一种金属性二碲化物的制备方法

    公开(公告)号:CN113173562B

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202110536232.9

    申请日:2021-05-17

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种金属性二碲化物的制备方法,其是将钼源粉末或钨源粉末与Te粉研磨混合后,将所得混合粉末均匀铺在基底材料上,再在其上倒扣一相同基底材料,以构建限域生长空间,最后将其进行高温退火,得到相应的MoTe2纳米带或WTe2纳米带。本发明具有操作简便、生长方法不受基底类型限制、便于后续电学性能测试等优点,且所得金属性MoTe2或WTe2具有优良的电化学析氢催化性能。

    一种二硫化钼图形的制备方法

    公开(公告)号:CN114293172A

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202210024954.0

    申请日:2022-01-11

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明提供了一种二硫化钼图形的制备方法,该制备方法包括以下过程:裁剪合适大小的Mo箔图形;利用电化学阳极氧化法氧化Mo箔图形;采用改进的化学气相沉积法生长MoS2图形。该方法用于制备MoS2图形具有操作简便、实用性高、图案多样、位置灵活并且可以制备大面积薄层均匀的MoS2薄膜图形等优点。

    一种大面积薄层二维碲烯的制备方法

    公开(公告)号:CN110510585A

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201910938644.8

    申请日:2019-09-30

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明提供了一种大面积薄层二维碲烯的制备方法,该制备方法包括以下过程:以碲粉末为碲源,通过将碲粉磨细并取少量以2-4列形式放置在SiO2/Si基底上,每列间相隔约2-4 mm,在此基底上再覆盖另一SiO2/Si基底,构建限域生长空间,放置于单温管式炉中,在700-800℃下退火10-40 min,碲蒸发进入气相,大部分停留在限域空间内,直接在基底上实现大面积的生长。该方法制备出来的碲烯薄膜具有生长面积大、厚度薄、较为均匀等优点。

    一种大面积薄层二维碲烯的制备方法

    公开(公告)号:CN110510585B

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN201910938644.8

    申请日:2019-09-30

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明提供了一种大面积薄层二维碲烯的制备方法,该制备方法包括以下过程:以碲粉末为碲源,通过将碲粉磨细并取少量以2‑4列形式放置在SiO2/Si基底上,每列间相隔约2‑4 mm,在此基底上再覆盖另一SiO2/Si基底,构建限域生长空间,放置于单温管式炉中,在700‑800℃下退火10‑40 min,碲蒸发进入气相,大部分停留在限域空间内,直接在基底上实现大面积的生长。该方法制备出来的碲烯薄膜具有生长面积大、厚度薄、较为均匀等优点。

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