公开(公告)号：CN116314197A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310411245.2

申请日：2023-04-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 李调阳 ,  陈泽权 ,  王昊哲

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/24 ,  H01L29/20 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8236

Abstract: 本发明提出氧化物半导体三维集成的cascode增强型GaN功率器件，包括GaN MIS‑HEMT和氧化物半导体FET两者进行金属互联形成的cascode级联结构；所述GaN MIS‑HEMT由硅基衬底上外延的GaN/AlGaN叠层、高k介质、源/漏/栅电极、钝化层以及场板结构组成；所述增强型氧化物半导体FET在钝化层上方制备；cascode级联结构中，氧化物半导体FET漏极和GaN MIS‑HEMT源极以第一金属层（17）互连，氧化物半导体FET源极和GaN MIS‑HEMT栅极以第二金属层（19）互连；第一金属层、第二金属层之间以以钝化层作为绝缘层；所述增强型GaN功率器件的阈值电压由氧化物半导体FET决定；本发明在实现增强型GaN MIS‑HEMT的同时，有效降低芯片面积及寄生参数，更有利于GaN功率器件的高频、集成化应用。