公开(公告)号：CN116314197A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310411245.2

申请日：2023-04-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 李调阳 ,  陈泽权 ,  王昊哲

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/24 ,  H01L29/20 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8236

Abstract: 本发明提出氧化物半导体三维集成的cascode增强型GaN功率器件，包括GaN MIS‑HEMT和氧化物半导体FET两者进行金属互联形成的cascode级联结构；所述GaN MIS‑HEMT由硅基衬底上外延的GaN/AlGaN叠层、高k介质、源/漏/栅电极、钝化层以及场板结构组成；所述增强型氧化物半导体FET在钝化层上方制备；cascode级联结构中，氧化物半导体FET漏极和GaN MIS‑HEMT源极以第一金属层（17）互连，氧化物半导体FET源极和GaN MIS‑HEMT栅极以第二金属层（19）互连；第一金属层、第二金属层之间以以钝化层作为绝缘层；所述增强型GaN功率器件的阈值电压由氧化物半导体FET决定；本发明在实现增强型GaN MIS‑HEMT的同时，有效降低芯片面积及寄生参数，更有利于GaN功率器件的高频、集成化应用。

公开(公告)号：CN116259665A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202310411271.5

申请日：2023-04-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 李调阳 ,  陈鹏 ,  王昊哲

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明提出一种基于氧化物半导体沟道的鞍鳍形晶体管及其制备方法，晶体管包括微纳加工工艺制备出的绝缘衬垫，以及在绝缘衬垫上依次生长成型的沟道层、栅介质层及栅电极层；所述沟道层包括绝缘衬垫上的平面沟道层和立于平面沟道层上的鳍形沟道层；鳍形沟道层设有横向的鞍形凹槽结构，使沟道层呈鞍鳍形结构；沟道层表面的栅介质层处覆有栅电极层，栅电极层包括沟道层旁的侧栅电极层和凹槽结构槽内的凹槽栅电极层；所述沟道层、栅介质层、侧栅电极层、凹槽栅电极层组合为三栅结构；在鞍鳍形结构的方向上，三栅结构的前方、后方分别设置源电极层（9）、漏电极层（10）；本发明具有增强栅控能力和增大有效沟长和沟宽的优势。