公开(公告)号：CN119342973A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202411437188.6

申请日：2024-10-15

Applicant: 福州大学

Inventor： 詹红兵 ,  何新宇 ,  郭智勇 ,  裴家杰 ,  叶荣龙

IPC: H10K30/60 ,  H10K30/10 ,  H10K85/10 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明涉及一种基于室温三重子效应的新型光电探测器件及其制备方法，属于新型光电探测器件技术领域。首先，提供一种用于制备新型光电探测器件的NDI‑COF薄膜，包括以下合成组分：5,10,15,20‑四（4‑氨基苯基）卟啉、1,4,5,8‑萘四甲酸酐和SOS表面活性剂，本发明的有机薄膜（NDI‑COF薄膜）在常温常压下就可以制备，操作简单并且可以大量制备，适合进行工业化生产；有机薄膜可以通过和单层二硫化钨构成二型能带排列，将电子转移至单层二硫化钨，与位于单层二硫化钨内的激子形成室温三重子，室温三重子可以通过光致发光光谱检测。其次，还提供一种基于室温三重子效应的新型光电探测器件的制备方法，制备工艺简单，利用构筑的有机无机范德华异质结构即可实现优良的光电响应性能。

公开(公告)号：CN115662904A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211276531.4

申请日：2022-10-19

Applicant: 福州大学

Inventor： 裴家杰 ,  刘心语 ,  詹红兵

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种以氧化黑磷介电层为顶栅的黑磷场效应晶体管的制备方法，其利用微机械剥离法得到薄层黑磷，并利用氧等离子体刻蚀在薄层黑磷表面直接生成氧化黑磷层，以氧化黑磷作为介质栅，构建出黑磷场效应晶体管。根据本发明提出的氧化黑磷介电层为顶栅的黑磷晶体管，为改善栅绝缘体与黑磷半导体通道接触的不良界面带来一种新的实现方式。