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发明公开
以氧化黑磷介电层为顶栅的黑磷场效应晶体管的制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN115662904A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211276531.4

申请日：2022-10-19

Applicant: 福州大学

Inventor： 裴家杰 , 刘心语 , 詹红兵

IPC: H01L21/34 , H01L29/24 , H01L29/51 , H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种以氧化黑磷介电层为顶栅的黑磷场效应晶体管的制备方法，其利用微机械剥离法得到薄层黑磷，并利用氧等离子体刻蚀在薄层黑磷表面直接生成氧化黑磷层，以氧化黑磷作为介质栅，构建出黑磷场效应晶体管。根据本发明提出的氧化黑磷介电层为顶栅的黑磷晶体管，为改善栅绝缘体与黑磷半导体通道接触的不良界面带来一种新的实现方式。

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