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公开(公告)号：CN119984090A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510124665.1
申请日：2025-01-26
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种自聚焦型晶圆三维形貌精密检测装置及方法，包括超辐射发光二极管、光纤耦合器、设有参考臂显微物镜的显微参考臂、显微扫描平台的自焦距晶圆扫描平台、近红外反射式光谱仪和上位机；检测时，二极管辐射出的近红外宽带光耦合进入光纤耦合器后被分成探测光、参考光；待测晶圆移动至探测光焦点处；探测光聚焦至待测晶圆样品上，形成携带有样品表面信息的测量光，然后被样品表面背向散射而回并与参考光在光纤耦合器处发生干涉，形成的干涉光信号被近红外反射式光谱仪捕获后传输进入上位机中，在探测光焦点处移动晶圆样品，进行XY轴扫描以获得晶圆三维形貌数据；本发明能够在不损坏芯片样品的情况下实现芯片三维形貌的高精度无损检测。
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