-
公开(公告)号：CN107814551A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711050201.2
申请日：2017-10-31
Applicant: 福州大学
IPC: C04B30/00 , C04B41/63 , C04B35/626 , C04B35/468 , C04B38/00 , C04B111/40 , C04B111/90 , C04B111/92
Abstract: 本发明公开了一种高储能和功率密度介质材料及其制备方法，该材料组成体系为Ba1-xSrxTiO3陶瓷与热固性高分子的复合材料，其制备方法为1.先合成Ba1-xSrxTiO3(x=0.1-0.5)陶瓷粉体；2.将合成的BST粉体按摩尔比为1:1压制成圆形或者方形坯体；3.将BST陶瓷坯体与热固性聚合物复合，获得致密的储能材料，与现有技术相比，本发明制备的储能介质材料制备工艺简单、节能减排而且成本低廉，具有介电常数高（>100）、介电损耗低（ 150.0kV/mm）、储能密度高（>16.00J/cm3）和-55～125oC范围内介电常数变化率-15.0%～2.0%优势，在脉冲功率储能系统中具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN107814551B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201711050201.2
申请日：2017-10-31
Applicant: 福州大学
IPC: C04B30/00 , C04B41/63 , C04B35/626 , C04B35/468 , C04B38/00 , C04B111/40 , C04B111/90 , C04B111/92
Abstract: 本发明公开了一种高储能和功率密度介质材料及其制备方法，该材料组成体系为Ba1‑xSrxTiO3陶瓷与热固性高分子的复合材料，其制备方法为1.先合成Ba1‑xSrxTiO3(x=0.1‑0.5)陶瓷粉体；2.将合成的BST粉体按摩尔比为1:1压制成圆形或者方形坯体；3.将BST陶瓷坯体与热固性聚合物复合，获得致密的储能材料，与现有技术相比，本发明制备的储能介质材料制备工艺简单、节能减排而且成本低廉，具有介电常数高（>100）、介电损耗低（ 150.0kV/mm）、储能密度高（>16.00J/cm3）和‑55～125oC范围内介电常数变化率‑15.0%～2.0%优势，在脉冲功率储能系统中具有广泛的应用前景。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106187189B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201610541177.1
申请日：2016-07-11
Applicant: 福州大学
IPC: C03C12/00 , H01B3/12 , C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种储能微波介质陶瓷材料及其制备方法。先预烧制备CaTiO3‑NdAlO3粉体，然后添加不同量的MgO‑Al2O3‑SiO2玻璃粉体，最后制备储能微波介质陶瓷材料。本发明陶瓷材料具有钙钛矿晶相结构以及良好的致密性（相对密度>99%），并且具有优异的微波介电性能和储能性能：介电常数ε为30~100，击穿电场强度Eb为180~531kV/cm，储能密度E为0.08~0.5J/cm3，微波介电性能(2~15GHz范围)：介电常数ε为30~100，Qf为15000‑20000GHz，温度系数可调。本发明制备工艺简单，烧结温度较低，具有极大的工业应用价值。
-
公开(公告)号：CN106187165B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201610540311.6
申请日：2016-07-11
Applicant: 福州大学
IPC: C03C12/00 , H01B3/12 , C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高储能密度介质陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料是由BST陶瓷混合粉体和MAS玻璃粉复合而成，MAS玻璃粉的用量为BST陶瓷混合粉体质量的0.2%~10%；所述的MAS玻璃粉其组成为MgO‑Al2O3‑SiO2；所述的BST陶瓷混合粉体是由x取值为0.1‑0.5的Ba1‑xSrxTiO3粉体中的多种粉体等摩尔混合、球磨而得。与现有技术相比，本发明制备的储能介质陶瓷具有介电常数高（>1600）、介电损耗低（ 18.0kV/mm）、储能密度高（>2.50J/cm3）和‑55‑125℃范围内介电常数变化率‑13.0%‑5.0%优势，在脉冲功率储能系统中具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN106187165A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610540311.6
申请日：2016-07-11
Applicant: 福州大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C03C12/00
CPC classification number: C04B35/468 , C03C12/00 , C04B35/622 , C04B2235/3213 , C04B2235/3232 , C04B2235/36 , C04B2235/96
Abstract: 本发明公开了一种高储能密度介质陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料是由BST陶瓷混合粉体和MAS玻璃粉复合而成，MAS玻璃粉的用量为BST陶瓷混合粉体质量的0.2%~10%；所述的MAS玻璃粉其组成为MgO-Al2O3-SiO2；所述的BST陶瓷混合粉体是由x取值为0.1-0.5的Ba1-xSrxTiO3粉体中的多种粉体等摩尔混合、球磨而得。与现有技术相比，本发明制备的储能介质陶瓷具有介电常数高（>1600）、介电损耗低（ 18.0kV/mm）、储能密度高（>2.50J/cm3）和-55-125℃范围内介电常数变化率-13.0%-5.0%优势，在脉冲功率储能系统中具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN106187189A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610541177.1
申请日：2016-07-11
Applicant: 福州大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/465 , C04B35/44 , C04B35/626
CPC classification number: C04B35/50 , C04B35/44 , C04B35/465 , C04B35/626 , C04B35/62615 , C04B2235/3206 , C04B2235/3418 , C04B2235/442 , C04B2235/94 , C04B2235/95 , C04B2235/96
Abstract: 本发明公开了一种储能微波介质陶瓷材料及其制备方法。先预烧制备CaTiO3-NdAlO3粉体，然后添加不同量的MgO-Al2O3-SiO2玻璃粉体，最后制备储能微波介质陶瓷材料。本发明陶瓷材料具有钙钛矿晶相结构以及良好的致密性（相对密度>99%），并且具有优异的微波介电性能和储能性能：介电常数ε为30~100，击穿电场强度Eb为180~531kV/cm，储能密度E为0.08~0.5J/cm3，微波介电性能(2~15GHz范围)：介电常数ε为30~100，Qf为15000-20000GHz，温度系数可调。本发明制备工艺简单，烧结温度较低，具有极大的工业应用价值。
-
公开(公告)号：CN206161778U
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201621145691.5
申请日：2016-10-21
Applicant: 福州大学
IPC: G01R31/12
Abstract: 本实用新型公开了一种高压击穿电场强度测试装置，包括电极室组件和电极芯组件；电极室组件包括上电极盖和电极底座，电极底座为一上端敞开的矩形盒体，电极底座周沿设有导杆，上电极盖周沿设有导杆孔，上电极盖以导杆孔与电极底座导杆滑接配合；电极芯组件包括下电极触头、上电极触头、绝缘螺帽、电极圈和绝缘套；上电极触头以螺纹结构插置于上电极盖的螺纹孔内，绝缘螺帽包覆并固定于上电极触头顶端，电极圈环绕于上电极触头与上电极盖的相交处，电极圈与上电极盖固接并以绝缘套包覆；下电极触头嵌置于电极底座内，上电极触头下端面和下电极触头上端面为样品夹持面，其面积小于样品面积；本产品能在高压击穿测试中压紧样品并避免边缘击穿效应。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.017 seconds)
