公开(公告)号：CN104844016B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201510156402.5

申请日：2015-04-03

Applicant: 福州大学

Inventor： 沈水发 ,  徐美丽 ,  车荣峰

IPC: C03C17/34

Abstract: 本发明属于金属氧化物半导体薄膜材料的制备技术领域，具体涉及一种在ITO导电玻璃上沉积氧化铁薄膜的制备方法。为了提供一种在ITO导电玻璃上沉积具有较高透明度、均匀、稳定的氧化铁薄膜的简便制备方法，该方法以可溶性三价铁盐和可溶性草酸盐为原料，采用水热法在ITO导电玻璃上沉积氧化铁薄膜。本发明得到的氧化铁薄膜非常均匀，具有良好的透光性能，薄膜与基底结合牢固，所使用的原料简单，成本低廉，原料本身及反应残液均无污染，大规模工业应用不会产生污染问题。工艺操作简便，对设备要求低，能耗小，对膜的控制方便且灵活。

公开(公告)号：CN104844016A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510156402.5

申请日：2015-04-03

Applicant: 福州大学

Inventor： 沈水发 ,  徐美丽 ,  车荣峰

IPC: C03C17/34

Abstract: 本发明属于金属氧化物半导体薄膜材料的制备技术领域，具体涉及一种在ITO导电玻璃上沉积氧化铁薄膜的制备方法。为了提供一种在ITO导电玻璃上沉积具有较高透明度、均匀、稳定的氧化铁薄膜的简便制备方法，该方法以可溶性三价铁盐和可溶性草酸盐为原料，采用水热法在ITO导电玻璃上沉积氧化铁薄膜。本发明得到的氧化铁薄膜非常均匀，具有良好的透光性能，薄膜与基底结合牢固，所使用的原料简单，成本低廉，原料本身及反应残液均无污染，大规模工业应用不会产生污染问题。工艺操作简便，对设备要求低，能耗小，对膜的控制方便且灵活。