公开(公告)号：CN114855274A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210559422.7

申请日：2022-05-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 高建军 ,  徐佳星 ,  庄丹 ,  刘志扬 ,  朱霖鹏

IPC: C30B29/02 ,  C30B29/60 ,  B82Y30/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B11/02 ,  C30B33/10 ,  C25F3/02 ,  B22F1/054 ,  C22C5/08

Abstract: 本发明公开了一种单晶铜纳米线的制备方法，是一种基于二元共晶合金系制备单晶金属铜纳米线的方法，采用定向生长结合选择性腐蚀技术，以二元共晶合金为基础，通过定生长技术制备具有铜纤维相的共晶合金，然后根据共晶体组成相的电极电位差异性，在合适的溶液中腐蚀去除基体相，从而获得单晶铜纳米线。本发明的制备过程简单可控，铜纳米线的形貌和分布可根据生长速率以及腐蚀时间调控，纳米线的尺寸控制精度高。制备出的单晶铜纳米线可以作为柔性电极中的柔性基体材料。采用定向生长结合选择性腐蚀的方法为制备单晶铜纳米线提供了新的方法。

公开(公告)号：CN115616054B

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202211340824.4

申请日：2022-10-29

Applicant: 福州大学

Inventor： 高建军 ,  刘志扬 ,  庄丹 ,  徐佳星 ,  朱霖鹏

IPC: G01N27/30

Abstract: 本发明涉及一种硅基复合光电极的制备方法，该方法通过将选择性腐蚀制备出的硅纳米纤维与复合材料结合，组装成硅基复合光电极，包括以下步骤：1、将铝硅共晶合金切割成棒状试样并打磨光滑；2、将棒状试样放入陶瓷管中，在定向凝固炉中以设定的加热温度及生长速率定向生长，即制备得到共晶硅合金结构；3、采用电化学腐蚀的方法去除铝基体材料，硅纳米纤维结构从基体脱落进入腐蚀后的溶液中；4、将腐蚀后的溶液过滤干燥，得到硅纳米纤维结构粉末；将得到的硅纳米纤维结构粉末与乙炔黑、粘接剂PVDF混合后，以NMP为溶剂调成溶胶状，然后涂敷于ITO导电玻璃上，得到正极片。该方法操作简单，制备成本低，且制备出的硅基光电极具有良好的光电反应。

公开(公告)号：CN115616054A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211340824.4

申请日：2022-10-29

Applicant: 福州大学

Inventor： 高建军 ,  刘志扬 ,  庄丹 ,  徐佳星 ,  朱霖鹏

IPC: G01N27/30

Abstract: 本发明涉及一种硅基复合光电极的制备方法，该方法通过将选择性腐蚀制备出的硅纳米纤维与复合材料结合，组装成硅基复合光电极，包括以下步骤：1、将铝硅共晶合金切割成棒状试样并打磨光滑；2、将棒状试样放入陶瓷管中，在定向凝固炉中以设定的加热温度及生长速率定向生长，即制备得到共晶硅合金结构；3、采用电化学腐蚀的方法去除铝基体材料，硅纳米纤维结构从基体脱落进入腐蚀后的溶液中；4、将腐蚀后的溶液过滤干燥，得到硅纳米纤维结构粉末；将得到的硅纳米纤维结构粉末与乙炔黑、粘接剂PVDF混合后，以NMP为溶剂调成溶胶状，然后涂敷于ITO导电玻璃上，得到正极片。该方法操作简单，制备成本低，且制备出的硅基光电极具有良好的光电反应。