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公开(公告)号：CN101578231B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200880001427.6
申请日：2008-01-10
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
Inventor： 伯纳德·阿斯帕 , 克里斯特勒·拉加赫·布兰查德 , 尼古拉斯·苏萨贝
CPC classification number: B81C1/00952 , B81B3/001 , B81C2201/115
Abstract: 本发明涉及一种在半导体基片(2)中形成粗糙界面(12)的方法，所述方法包括：在所述基片的表面(4)上形成氧化物或能够被氧化的材料(6)的无规性区域(8)或者在氧化物或能够被氧化的材料(6)之上的无规性区域(8)，通过所述材料或所述氧化物(6)和部分所述半导体基片的热氧化、或者通过穿过所述材料或所述氧化物(6)进行的部分所述半导体基片的热氧化而在所述半导体基片(2)之中或之上形成粗糙度。
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公开(公告)号：CN101578230A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200880001417.2
申请日：2008-01-10
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
Inventor： 伯纳德·阿斯帕 , 克里斯特勒·拉加赫·布兰查德 , 尼古拉斯·苏萨贝
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B3/001 , B81C1/00952 , B81C2201/115
Abstract: 本发明涉及一种形成具有隐埋粗糙界面的半导体元件的方法，所述方法包括：a)在第一半导体基片(16)中形成具有预定粗糙度R2的粗糙界面(22)，其中包括选择半导体基片(16)，所述基片的表面(14)的粗糙度R1＞R2；对所述基片进行热氧化步骤，直到获得粗糙度为R2的氧化物－半导体界面(22)，b)制备所述第一半导体基片的氧化表面，以便于与第二基片组装，c)组装所述氧化物的所述表面和所述第二基片的表面。
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公开(公告)号：CN101578231A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200880001427.6
申请日：2008-01-10
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
Inventor： 伯纳德·阿斯帕 , 克里斯特勒·拉加赫·布兰查德 , 尼古拉斯·苏萨贝
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00952 , B81B3/001 , B81C2201/115
Abstract: 本发明涉及一种在半导体基片(2)中形成粗糙界面(12)的方法，所述方法包括：在所述基片的表面(4)上形成氧化物或能够被氧化的材料(6)的无规性区域(8)或者在氧化物或能够被氧化的材料(6)之上的无规性区域(8)，通过所述材料或所述氧化物(6)和部分所述半导体基片的热氧化、或者通过穿过所述材料或所述氧化物(6)进行的部分所述半导体基片的热氧化而在所述半导体基片(2)之中或之上形成粗糙度。
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公开(公告)号：CN101578230B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200880001417.2
申请日：2008-01-10
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
Inventor： 伯纳德·阿斯帕 , 克里斯特勒·拉加赫·布兰查德 , 尼古拉斯·苏萨贝
CPC classification number: B81B3/001 , B81C1/00952 , B81C2201/115
Abstract: 本发明涉及一种形成具有隐埋粗糙界面的半导体元件的方法，所述方法包括：a)在第一半导体基片(16)中形成具有预定粗糙度R2的粗糙界面(22)，其中包括选择半导体基片(16)，所述基片的表面(14)的粗糙度R1＞R2；对所述基片进行热氧化步骤，直到获得粗糙度为R2的氧化物-半导体界面(22)，b)制备所述第一半导体基片的氧化表面，以便于与第二基片组装，c)组装所述氧化物的所述表面和所述第二基片的表面。
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