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公开(公告)号：CN101578230B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200880001417.2
申请日：2008-01-10
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
Inventor： 伯纳德·阿斯帕 , 克里斯特勒·拉加赫·布兰查德 , 尼古拉斯·苏萨贝
CPC classification number: B81B3/001 , B81C1/00952 , B81C2201/115
Abstract: 本发明涉及一种形成具有隐埋粗糙界面的半导体元件的方法，所述方法包括：a)在第一半导体基片(16)中形成具有预定粗糙度R2的粗糙界面(22)，其中包括选择半导体基片(16)，所述基片的表面(14)的粗糙度R1＞R2；对所述基片进行热氧化步骤，直到获得粗糙度为R2的氧化物-半导体界面(22)，b)制备所述第一半导体基片的氧化表面，以便于与第二基片组装，c)组装所述氧化物的所述表面和所述第二基片的表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101578231B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200880001427.6
申请日：2008-01-10
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
Inventor： 伯纳德·阿斯帕 , 克里斯特勒·拉加赫·布兰查德 , 尼古拉斯·苏萨贝
CPC classification number: B81C1/00952 , B81B3/001 , B81C2201/115
Abstract: 本发明涉及一种在半导体基片(2)中形成粗糙界面(12)的方法，所述方法包括：在所述基片的表面(4)上形成氧化物或能够被氧化的材料(6)的无规性区域(8)或者在氧化物或能够被氧化的材料(6)之上的无规性区域(8)，通过所述材料或所述氧化物(6)和部分所述半导体基片的热氧化、或者通过穿过所述材料或所述氧化物(6)进行的部分所述半导体基片的热氧化而在所述半导体基片(2)之中或之上形成粗糙度。
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公开(公告)号：CN101897001B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200980101341.5
申请日：2009-01-16
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
CPC classification number: H01L22/12 , H01L21/2007
Abstract: 本发明涉及一种制备将要被转移到衬底(8)上的薄层的工艺，所述薄层具有表面拓扑，因此在与由该薄层限定的平面相垂直的方向上具有高度或层级变化，该工艺包括以下步骤：在所述薄层上形成粘合材料层(4)，所述粘合材料层的厚度使得能够对所述粘合材料层的表面执行多次抛光步骤以消除任何缺陷或空洞(24、26)或几乎任何缺陷或空洞，以准备通过分子类型的键合与衬底(8)组装起来。
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公开(公告)号：CN101578231A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200880001427.6
申请日：2008-01-10
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
Inventor： 伯纳德·阿斯帕 , 克里斯特勒·拉加赫·布兰查德 , 尼古拉斯·苏萨贝
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00952 , B81B3/001 , B81C2201/115
Abstract: 本发明涉及一种在半导体基片(2)中形成粗糙界面(12)的方法，所述方法包括：在所述基片的表面(4)上形成氧化物或能够被氧化的材料(6)的无规性区域(8)或者在氧化物或能够被氧化的材料(6)之上的无规性区域(8)，通过所述材料或所述氧化物(6)和部分所述半导体基片的热氧化、或者通过穿过所述材料或所述氧化物(6)进行的部分所述半导体基片的热氧化而在所述半导体基片(2)之中或之上形成粗糙度。
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公开(公告)号：CN101897001A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200980101341.5
申请日：2009-01-16
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
CPC classification number: H01L22/12 , H01L21/2007
Abstract: 本发明涉及一种制备将要被转移到衬底(8)上的薄层的工艺，所述薄层具有表面拓扑，因此在与由该薄层限定的平面相垂直的方向上具有高度或层级变化，该工艺包括以下步骤：在所述薄层上形成粘合材料层(4)，所述粘合材料层的厚度使得能够对所述粘合材料层的表面执行多次抛光步骤以消除任何缺陷或空洞(24、26)或几乎任何缺陷或空洞，以准备通过分子类型的键合与衬底(8)组装起来。
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公开(公告)号：CN101578230A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200880001417.2
申请日：2008-01-10
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司
Inventor： 伯纳德·阿斯帕 , 克里斯特勒·拉加赫·布兰查德 , 尼古拉斯·苏萨贝
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B3/001 , B81C1/00952 , B81C2201/115
Abstract: 本发明涉及一种形成具有隐埋粗糙界面的半导体元件的方法，所述方法包括：a)在第一半导体基片(16)中形成具有预定粗糙度R2的粗糙界面(22)，其中包括选择半导体基片(16)，所述基片的表面(14)的粗糙度R1＞R2；对所述基片进行热氧化步骤，直到获得粗糙度为R2的氧化物－半导体界面(22)，b)制备所述第一半导体基片的氧化表面，以便于与第二基片组装，c)组装所述氧化物的所述表面和所述第二基片的表面。
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