公开(公告)号：CN113674789A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110971342.8

申请日：2016-09-14

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H·V·陈 ,  A·李 ,  T·武 ,  H·Q·阮

IPC: G11C16/16 ,  G11C16/08

Abstract: 本发明涉及一种闪存存储器系统，其中一个或多个电路区块利用全耗尽型绝缘体上硅晶体管设计来使泄漏最小化。

公开(公告)号：CN113674789B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202110971342.8

申请日：2016-09-14

Applicant: 硅存储技术公司

Inventor： H·V·陈 ,  A·李 ,  T·武 ,  H·Q·阮

IPC: G11C16/16 ,  G11C16/08

Abstract: 本发明涉及一种闪存存储器系统，其中一个或多个电路区块利用全耗尽型绝缘体上硅晶体管设计来使泄漏最小化。