公开(公告)号：CN110412692B

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN201910243516.1

申请日：2019-03-28

Applicant: 瞻博网络公司

Inventor： M·A·斯潘纳格尔 ,  B·R·科赫 ,  J·鲍特斯

IPC: G02B6/34 ,  G02B6/26 ,  G02B6/125

Abstract: 本公开的实施例涉及光子输入/输出耦合器对准。光连接器与光子集成电路的输入/输出耦合器的光学对准可以通过以下方式来实现：首先将光连接器与形成在PIC的光子芯片中的光学不相连于PIC的两个环回对准特征连续地主动对准，并且然后基于环回对准特征相对于PIC的输入/输出耦合器的位置的精确知识，将光连接器移动到与PIC的输入/输出耦合器对准的位置并且将其锁定就位。

公开(公告)号：CN112946825A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110135473.2

申请日：2019-03-28

Applicant: 瞻博网络公司

Inventor： M·A·斯潘纳格尔 ,  B·R·科赫 ,  J·鲍特斯

IPC: G02B6/34 ,  G02B6/26 ,  G02B6/125

Abstract: 本公开的实施例涉及光子输入/输出耦合器对准。光连接器与光子集成电路的输入/输出耦合器的光学对准可以通过以下方式来实现：首先将光连接器与形成在PIC的光子芯片中的光学不相连于PIC的两个环回对准特征连续地主动对准，并且然后基于环回对准特征相对于PIC的输入/输出耦合器的位置的精确知识，将光连接器移动到与PIC的输入/输出耦合器对准的位置并且将其锁定就位。

公开(公告)号：CN108335971A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201710912337.3

申请日：2017-09-29

Applicant: 瞻博网络公司

Inventor： J·帕克 ,  G·A·菲什 ,  M·A·斯潘纳格尔 ,  A·拉巴罗

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: G02B6/122 ,  G02B6/132 ,  G02B6/136 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/30617 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/02008

Abstract: 呈现了用于利用原子层沉积(ALD)结合的光子和电子的异质性集成的方法和系统。一个方法包括用于形成化合物半导体和用于将保护材料(例如，Al2O3)的连续膜沉积(例如，经由原子层沉积)在化合物半导体的第一表面上的操作。而且，方法包括用于形成绝缘体上硅(SOI)晶圆的操作，其中SOI晶圆包括一个或多个波导。方法还包括将第一表面处的化合物半导体结合到SOI晶圆以形成结合结构以及处理结合结构。保护材料在结合结构的进一步的处理期间保护化合物半导体免受酸蚀刻。

公开(公告)号：CN110412692A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910243516.1

申请日：2019-03-28

Applicant: 瞻博网络公司

Inventor： M·A·斯潘纳格尔 ,  B·R·科赫 ,  J·鲍特斯

IPC: G02B6/34 ,  G02B6/26 ,  G02B6/125

Abstract: 本公开的实施例涉及光子输入/输出耦合器对准。光连接器与光子集成电路的输入/输出耦合器的光学对准可以通过以下方式来实现：首先将光连接器与形成在PIC的光子芯片中的光学不相连于PIC的两个环回对准特征连续地主动对准，并且然后基于环回对准特征相对于PIC的输入/输出耦合器的位置的精确知识，将光连接器移动到与PIC的输入/输出耦合器对准的位置并且将其锁定就位。