公开(公告)号：CN108335971A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201710912337.3

申请日：2017-09-29

Applicant: 瞻博网络公司

Inventor： J·帕克 ,  G·A·菲什 ,  M·A·斯潘纳格尔 ,  A·拉巴罗

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: G02B6/122 ,  G02B6/132 ,  G02B6/136 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/30617 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/02008

Abstract: 呈现了用于利用原子层沉积(ALD)结合的光子和电子的异质性集成的方法和系统。一个方法包括用于形成化合物半导体和用于将保护材料(例如，Al2O3)的连续膜沉积(例如，经由原子层沉积)在化合物半导体的第一表面上的操作。而且，方法包括用于形成绝缘体上硅(SOI)晶圆的操作，其中SOI晶圆包括一个或多个波导。方法还包括将第一表面处的化合物半导体结合到SOI晶圆以形成结合结构以及处理结合结构。保护材料在结合结构的进一步的处理期间保护化合物半导体免受酸蚀刻。