公开(公告)号：CN101454659A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200780019951.1

申请日：2007-05-10

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： S·塞塔耶什 ,  D·M·德里兀

IPC: G01N27/414 ,  H01L51/05

CPC classification number: G01N27/414 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明涉及一种场效应晶体管，其包括：栅电极层，第一电介质层，源电极，漏电极，有机半导体和第二电介质层，其中第一电介质层位于栅电极层上，源电极，漏电极和有机半导体位于第一电介质层上，源电极和漏电极与有机半导体接触，其中第二电介质层放置于源电极、漏电极和有机半导体的组件上，且其中，在场效应晶体管工作期间，包括栅电极层和第一电介质层的组件的电容低于第二电介质层的电容。本发明还涉及一种包括这种场效应晶体管的传感器系统以及将根据本发明的传感器系统用于检测分子。

公开(公告)号：CN102428387B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201080017626.3

申请日：2010-03-15

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： S·莱韦内 ,  A·阿尔特曼 ,  N·魏纳 ,  D·M·德里兀 ,  E·哈斯克尔

IPC: G01T1/20 ,  G01T1/29

CPC classification number: G01T1/2985 ,  G01T1/2018

Abstract: 一种成像系统，包括具有成行和列的印刷的光电二极管的宏观有机光电二极管阵列。该阵列可以是可弯折的，以容易制造并组装在成像系统之内的弯曲支撑上。可以提供两层或更多层光电二极管以用于能谱CT成像系统中或用作切片。

公开(公告)号：CN102428387A

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201080017626.3

申请日：2010-03-15

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： S·莱韦内 ,  A·阿尔特曼 ,  N·魏纳 ,  D·M·德里兀 ,  E·哈斯克尔

IPC: G01T1/20 ,  G01T1/29

CPC classification number: G01T1/2985 ,  G01T1/2018

Abstract: 一种成像系统，包括具有成行和列的印刷的光电二极管的宏观有机光电二极管阵列。该阵列可以是可弯折的，以容易制造并组装在成像系统之内的弯曲支撑上。可以提供两层或更多层光电二极管以用于能谱CT成像系统中或用作切片。

公开(公告)号：CN102203974A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200980143216.0

申请日：2009-10-26

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： D·M·德里兀 ,  P·A·范哈尔 ,  G·T·霍夫特

IPC: H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0554 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0562

Abstract: 本发明涉及一种双栅极场效应晶体管(1)，包括第一和第二电介质层(6，7)、第一和第二栅电极(9，11)以及由至少一个源电极(3)、至少一个漏电极(4)和至少一个有机半导体(5)构成的组件(2)，其中所述源电极(3)和所述漏电极(4)与所述半导体(5)接触，所述组件(2)位于所述第一电介质层(6)和所述第二电介质层(7)之间，所述第一电介质层(6)位于所述第一栅电极(9)和所述组件(2)的第一侧(8)之间，并且所述第二电介质层(7)位于所述第二栅电极(11)和所述组件(2)的第二侧(10)之间，其中所述有机半导体(5)为有机双极性传导半导体(12)，其在所述组件(2)的第一侧(8)实现至少一个电子注入区域(18)并在所述组件(2)的第二侧(19)实现至少一个空穴注入区域(18)。本发明还包括具有至少一个场效应晶体管的对应的光发射装置、对应的传感器系统和对应的存储装置以及生产对应的双栅极场效应晶体管的方法。

公开(公告)号：CN101228646A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200680027185.9

申请日：2006-07-21

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： H·B·阿克曼 ,  B·德布尔 ,  P·W·M·布洛姆 ,  D·M·德里兀 ,  T·C·T·戈恩斯 ,  E·坎塔托雷

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0595 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0583

Abstract: 一种元件(50)，包括第一电极(51)、自组装系统(52)，其为或包括单分子层和第二电极(54)。湿式化学沉积的聚合接触层(53)存在于自组装系统(52)和第二电极之间(54)。适宜地，自组装系统(52)和接触层(53)两者都设在空腔(40)中。

公开(公告)号：CN102483461B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201080039976.X

申请日：2010-08-05

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： S·莱韦内 ,  A·阿尔特曼 ,  N·魏纳 ,  C·R·龙达 ,  E·I·哈斯克尔 ,  D·M·德里兀

IPC: G01T1/20 ,  G01T1/24 ,  G01T1/29

CPC classification number: G01T1/2985 ,  G01T1/2018 ,  G01T1/242 ,  G01T1/249

Abstract: 提供了低成本大面积光探测器阵列。在第一实施例中，光探测器包括形成于单个厚层材料中的无机光电转换材料。在第二实施例中，光探测器包括若干薄层无机光电转换材料的层压结构，其组合厚度足够大，从而以高的探测器量子效率吸收进入的X射线。在第三实施例中，光探测器包括几层无机或有机光电转换材料的层压结构，其中每层具有复合闪烁体涂层。

公开(公告)号：CN102483461A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080039976.X

申请日：2010-08-05

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： S·莱韦内 ,  A·阿尔特曼 ,  N·魏纳 ,  C·R·龙达 ,  E·I·哈斯克尔 ,  D·M·德里兀

IPC: G01T1/20 ,  G01T1/24 ,  G01T1/29

CPC classification number: G01T1/2985 ,  G01T1/2018 ,  G01T1/242 ,  G01T1/249

Abstract: 提供了低成本大面积光探测器阵列。在第一实施例中，光探测器包括形成于单个厚层材料中的无机光电转换材料。在第二实施例中，光探测器包括若干薄层无机光电转换材料的层压结构，其组合厚度足够大，从而以高的探测器量子效率吸收进入的X射线。在第三实施例中，光探测器包括几层无机或有机光电转换材料的层压结构，其中每层具有复合闪烁体涂层。