公开(公告)号：CN101952710A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200880114706.3

申请日：2008-10-30

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： D·J·W·克伦德 ,  C·R·M·德威茨 ,  R·彭特曼 ,  R·W·I·德博尔 ,  E·M·H·P·范迪克

IPC: G01N21/55 ,  G01N21/64 ,  G01N21/77 ,  G01N33/551

CPC classification number: G01N21/648 ,  B82Y15/00 ,  G01N21/552 ,  G01N21/554 ,  G01N21/6452 ,  G01N21/7703 ,  G01N33/54373 ,  G01N2021/6432 ,  G01N2021/7786 ,  G02B6/0229 ,  G02B2006/12138

Abstract: 提供了一种用于检测结合表面(12)附近的目标成分(10)的微电子传感器设备(100)，该设备包括：用于发射入射在结合表面(12)的具有一波长的辐射束(101)的源(21)；位于结合表面(12)附近的光学结构(11)，用于响应于入射在结合表面(12)的辐射，在由结合表面(12)界定的且在从离开结合表面(12)到样品室(2)内的衰减长度上延伸的检测体积(4)内提供倏逝辐射；以及用于响应于来自源(21)的所发射的入射辐射(101)，检测来自检测体积(4)内存在的目标成分(101)的辐射(102)的检测器(31)，其中结合表面(12)配置有电介质材料(3)的直立壁，用于提供一个或多个检测体积(4)，该检测体积被界定到小于衍射极限的最大面内检测体积尺寸(W1)，衍射极限由辐射波长和用于包含目标成分(10)的介质(2)定义。