谐振器结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN1864326A

    公开(公告)日:2006-11-15

    申请号:CN200480029158.6

    申请日:2004-09-27

    CPC classification number: H03H9/175 H03H3/04 H03H9/564 H03H2003/0428 Y10T29/42

    Abstract: 为了提供一种谐振器结构(100),特别是体声波(BAW)谐振器,诸如薄膜BAW谐振器(FBAR)或固体安装的BAW谐振器(SBAR),包括:至少一个衬底(10);涂敷或沉积在衬底(10)上的至少一个反射器层(20);涂敷或沉积在反射器层(20)上的至少一个底部电极层(30),特别是底部电极;涂敷或沉积在底部电极层(30)上的至少一个压电层(40),特别是C轴正交压电层;至少一个顶部电极层(50),特别是顶部电极,涂敷或沉积在底部电极层(30)和/或压电层(40)上以至于压电层(40)处于底部电极层(30)和顶部电极层(50)之间,提议在底部电极层(30)和顶部电极层(50)之间的至少一个非重叠区域中的至少一个空间中和/或上涂敷或沉积至少一个电介质层(63,65)。本发明也涉及制作所述谐振器结构的方法以及谐振器结构的应用。

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