-
公开(公告)号：CN1197134C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN01809332.9
申请日：2001-05-07
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: H01L21/316 , C01B33/113 , C23C14/10 , H01L21/768
CPC classification number: C23C14/10 , C01B33/113 , C23C14/32 , H01L21/7682 , H01L2221/1047
Abstract: 一种低相对介电常数的SiOx膜、制造方法和使用它的半导体装置。不用碱金属、氟等，耐热性优良的低相对介电常数SiOx膜、实现相对介电常数比该低相对介电常数SiOx膜更低、绝缘性添强的SiOx膜的改性方法、及通过将低相对介电常数SiOx膜作为金属配线的层间绝缘膜，能提供膜上无裂缝、不会剥离、可靠性高的半导体装置。上述低相对介电常数SiOx其特征为，膜由SiOx为主要成分(但，1.8≥X≥1.0)的多孔物质组成，在1MHZ中的相对介电常数为3以下。
-
公开(公告)号：CN1280190C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN03802109.9
申请日：2003-01-10
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: C01B33/113 , G02B1/10 , H01L21/316 , C23C14/24 , A23L3/00 , H01L31/04
CPC classification number: B82Y30/00 , C01B33/113 , C04B35/14 , C04B2235/3418 , C04B2235/5409 , C04B2235/5454 , C04B2235/72 , C04B2235/724
Abstract: 本发明提供一种高纯度·超微粉状的SiOx(x＝0.6-1.8)粉，该粉的比表面积在10m2/g以上，Na、Fe、Al、Cl的总量在10ppm以下。该SiOx粉可通过在压力10-1000kPa的非氧化性气氛中，于温度500-1000℃使甲硅烷气体和甲硅烷气体的氧化性气体反应而形成。此时，非氧化性气体的量多于甲硅烷气体和供给甲硅烷气体的氧化性气体的氧化反应的氧量的总量。
-
公开(公告)号：CN1615271A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN03802109.9
申请日：2003-01-10
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: C01B33/113 , G02B1/10 , H01L21/316 , C23C14/24 , A23L3/00 , H01L31/04
CPC classification number: B82Y30/00 , C01B33/113 , C04B35/14 , C04B2235/3418 , C04B2235/5409 , C04B2235/5454 , C04B2235/72 , C04B2235/724
Abstract: 本发明提供一种高纯度·超微粉状的SiOx(x＝0.6－1.8)粉，该粉的比表面积在10m2/g以上，Na、Fe、Al、Cl的总量在10ppm以下。该SiOx粉可通过在压力10一1000kPa的非氧化性气氛中，于温度500－1000℃使甲硅烷气体和甲硅烷气体的氧化性气体反应而形成。此时，非氧化性气体的量多于甲硅烷气体和供给甲硅烷气体的氧化性气体的氧化反应的氧量的总量。
-
公开(公告)号：CN1429405A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN01809332.9
申请日：2001-05-07
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: H01L21/316 , C01B33/113 , C23C14/10 , H01L21/768
CPC classification number: C23C14/10 , C01B33/113 , C23C14/32 , H01L21/7682 , H01L2221/1047
Abstract: 一种低相对介电常数的SiOx膜、制造方法和使用它的半导体装置。不用碱金属、氟等，耐热性优良的低相对介电常数SiOx膜、实现相对介电常数比该低相对介电常数SiOx膜更低、绝缘性添强的SiOx膜的改性方法、及通过将低相对介电常数SiOx膜作为金属配线的层间绝缘膜，能提供膜上无裂缝、不会剥离、可靠性高的半导体装置。上述低相对介电常数SiOx其特征为，膜由SiOx为主要成分(但，1.8≥X≥1.0)的多孔物质组成，在1MHZ中的相对介电常数为3以下。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.019 seconds)
