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公开(公告)号：CN114284653B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202111416210.5
申请日：2021-11-25
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 壹新通信科技(浙江)有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种基于人工表面等离激元耦合调控的片上太赫兹开关，包括输入\输出结构、SSPPs耦合调控结构、SSPPs共面传输结构和SSPPs模式转换结构，所述输入\输出结构为标准共面波导结构，所述SSPPs耦合调控结构包括深度渐变周期槽、中间信号线与相变材料薄膜，深度渐变周期槽的两端分别与输入结构和SSPPs共面传输结构连接，相变材料薄膜嵌入于所述SSPPs耦合调控结构对应的中间信号线中，所述SSPPs共面传输结构包括两组对称分布金属槽与中间信号线，所述SSPPs模式转换结构为所述SSPPs耦合调控结构的全金属镜像对称结构，无相变材料薄膜嵌入，所述中间信号线贯穿整个太赫兹开关。本发明可实现大带宽、低插入损耗、高开关比、低群延时的太赫兹开关调控。
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公开(公告)号：CN114094293A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111467810.4
申请日：2021-12-03
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 壹新通信科技(浙江)有限责任公司
Inventor： 龚森
Abstract: 本发明公开了一种基于多超构基片耦合的太赫兹窄带带通腔体滤波器，包括输入矩形波导、多组超构基片、耦合波导、输出波导，所述多组超构基片包括石英介质基底、互补H‑形图形化金属片，所述互补H‑形图形化金属片为H‑形镂空图形化金属片，其加载在所述石英介质基底上且关于波导E面呈中心对称分布，所述多组超构基片平行于波导E面嵌入所述输入矩形波导腔体，所述多组超构基片由所述耦合波导连接。本发明结构简单、体积小、易于加工，可在保持低插损、低带内波动、高带外抑制的同时，解决现有太赫兹窄带带通滤波器体积大、加工容错低等问题。
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公开(公告)号：CN113917709A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110989122.8
申请日：2021-08-26
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 一种基于石墨烯的太赫兹增强电磁诱导透明器件，属于电磁功能器件技术领域。所述器件包括半导体材料衬底，位于衬底上的M×N个双环金属结构，以及形成于衬底上、金属双环之间的石墨烯环；其中，所述石墨烯为n层石墨烯(n>1)，通过外加飞秒激光控制石墨烯的电导率，实现器件的幅度变化。本发明基于石墨烯的太赫兹增强电磁诱导透明器件，利用金属双环之间的相消干涉作用产生电磁诱导透明现象，通过石墨烯电导率在激光下的退化使其透射率增强至81％；同时由于石墨烯超快的载流子弛豫特性，实现了14ps的超快开关时间。
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公开(公告)号：CN114300820B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202111416216.2
申请日：2021-11-25
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 壹新通信科技(浙江)有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种基于C型环耦合的并联拓扑太赫兹片上超构开关，包括输入地‑信号线‑地匹配结构、主传输微带线、附属匹配枝节线、超构枝节、馈电控制电路和输出地‑信号线‑地匹配结构，所述超构枝节包括第一段金属微带枝节线、第二段金属微带枝节线、HEMT、金属C型环与通孔接地六边形金属片，HEMT的源极与第一段金属微带枝节线连接后以并联拓扑方式连接主传输微带线，HEMT的漏极与第二段金属微带枝节线连接后通过通孔接地六边形金属片接地，金属C型环位于HEMT一侧，金属C型环开口正对HEMT，两者通过电磁耦合连接，所述馈电控制电路与HEMT连接。本发明可在保持低插入损耗的同时提高开关比。
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公开(公告)号：CN114300820A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111416216.2
申请日：2021-11-25
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 壹新通信科技(浙江)有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种基于C型环耦合的并联拓扑太赫兹片上超构开关，包括输入地‑信号线‑地匹配结构、主传输微带线、附属匹配枝节线、超构枝节、馈电控制电路和输出地‑信号线‑地匹配结构，所述超构枝节包括第一段金属微带枝节线、第二段金属微带枝节线、HEMT、金属C型环与通孔接地六边形金属片，HEMT的源极与第一段金属微带枝节线连接后以并联拓扑方式连接主传输微带线，HEMT的漏极与第二段金属微带枝节线连接后通过通孔接地六边形金属片接地，金属C型环位于HEMT一侧，金属C型环开口正对HEMT，两者通过电磁耦合连接，所述馈电控制电路与HEMT连接。本发明可在保持低插入损耗的同时提高开关比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114284653A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111416210.5
申请日：2021-11-25
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 壹新通信科技(浙江)有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种基于人工表面等离激元耦合调控的片上太赫兹开关，包括输入\输出结构、SSPPs耦合调控结构、SSPPs共面传输结构和SSPPs模式转换结构，所述输入\输出结构为标准共面波导结构，所述SSPPs耦合调控结构包括深度渐变周期槽、中间信号线与相变材料薄膜，深度渐变周期槽的两端分别与输入结构和SSPPs共面传输结构连接，相变材料薄膜嵌入于所述SSPPs耦合调控结构对应的中间信号线中，所述SSPPs共面传输结构包括两组对称分布金属槽与中间信号线，所述SSPPs模式转换结构为所述SSPPs耦合调控结构的全金属镜像对称结构，无相变材料薄膜嵌入，所述中间信号线贯穿整个太赫兹开关。本发明可实现大带宽、低插入损耗、高开关比、低群延时的太赫兹开关调控。
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公开(公告)号：CN114122727A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111466424.3
申请日：2021-12-03
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 壹新通信科技(浙江)有限责任公司
Inventor： 龚森
IPC: H01Q3/28
Abstract: 本发明公开了一种利用反相干涉原理的太赫兹幅度调制器，包括E面波导分路器、H面波导合路器、复合开关电路调控支路、复合开关电路常开支路，所述复合开关电路调控支路包含输入分支波导‑微带线过渡结构、有源材料复合控制结构、微带线‑输出分支波导过渡结构，所述输入分支波导‑微带过渡结构、所述微带‑输出分支波导过渡结构与所述E面波导分路器、所述H面波导合路器相连，所述复合开关电路常开支路与所述复合开关电路调控支路对称，共同构成反相干涉回路。本发明可在保持较低插入损耗的同时实现太赫兹频段内极大带宽的高开关比幅度调制。
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公开(公告)号：CN116435728A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310290951.6
申请日：2023-03-23
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明涉及直接调制与亚太赫兹‑太赫兹通信技术领域，尤其涉及一种新型行波开关调制器，包括输入端和输出端波导，传输亚太赫兹信号的主传输线、中频馈电电路，两个谐振耦合行波开关单元。将肖特基二极管结合微带线，形成一种双谐振动态耦合单元，耦合单元采用Z形匹配结构，利用中频电压信号控制二极管的电子输运，改变行波开关上的耦合强度，从而实现亚太赫兹波的幅度调制。在实现高速率的幅度调制同时，插入损耗低、开关比大，具有良好的工作性能；并且本发明结构简单，在仅使用两个动态结构单元的情况下，在零相位差点获得了25.4dB的开关比。通过调节控制电压，可以实现高速调制，在整个控制电压转换过程中，相位差仅为3.66度，具有较高的调制带宽。
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公开(公告)号：CN114122727B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202111466424.3
申请日：2021-12-03
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 壹新通信科技(浙江)有限责任公司
IPC: H01Q3/28
Abstract: 本发明公开了一种利用反相干涉原理的太赫兹幅度调制器，包括E面波导分路器、H面波导合路器、复合开关电路调控支路、复合开关电路常开支路，所述复合开关电路调控支路包含输入分支波导‑微带线过渡结构、有源材料复合控制结构、微带线‑输出分支波导过渡结构，所述输入分支波导‑微带过渡结构、所述微带‑输出分支波导过渡结构与所述E面波导分路器、所述H面波导合路器相连，所述复合开关电路常开支路与所述复合开关电路调控支路对称，共同构成反相干涉回路。本发明可在保持较低插入损耗的同时实现太赫兹频段内极大带宽的高开关比幅度调制。
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公开(公告)号：CN114280725A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111481156.2
申请日：2021-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 壹新通信科技(浙江)有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种基于耦合式仿表面等离激元的太赫兹片上动态传输结构，呈轴对称分布，包括依次连接并位于介质基板上表面的第一共面波导、第一过渡结构、第一耦合区、传输区、第二耦合区、第二过渡结构和第二共面波导，其中第一共面波导和第二共面波导用于引入和输出太赫兹波，第一过渡结构和第二过渡结构用于空间太赫兹波和表面等离子激元波的相互转化，所述第一耦合区和第二耦合区分别由相互耦合的主平面光栅和副平面光栅构成，所述副平面光栅采用电导率可调的相变材料制成。本发明通过将第一耦合区和第二耦合区中的副平面光栅设计为电导率可调的相变材料，可实现对太赫兹等离子体波传输的动态调控。
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