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公开(公告)号：CN114068499B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202111146650.3
申请日：2021-09-29
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种基于悬置微带倒扣的太赫兹芯片封装结构，包括上腔体、下腔体、输入探针过渡结构、芯片和输出探针过渡结构，上腔体封盖在下腔体上形成输入波导和输出波导，所述输入探针过渡结构包括输入探针、输入悬置微带匹配电路和输入探针过渡结构石英基板，输入探针与输入悬置微带匹配电路连接，并位于输入探针过渡结构石英基板上，所述输出探针过渡结构包括输出探针、输出悬置微带匹配电路和输出探针过渡结构石英基板，输出探针与输出悬置微带匹配电路连接，并位于输出探针过渡结构石英基板上，芯片与输入悬置微带匹配电路及输出悬置微带匹配电路连接。本发明结构简单、易于加工、带宽宽、损耗小。
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公开(公告)号：CN119171034A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411528689.5
申请日：2024-10-30
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于电磁功能器件技术领域，公开了一种基于矩形波导SSPP模式切换的太赫兹移相器，包括输入矩形波导、周期性矩形波导结构、二极管调控微结构芯片、非调控微结构芯片、输出矩形波导；输入矩形波导起到输入太赫兹波的作用，与周期性矩形波导结构的一端连接；周期性矩形波导结构一部分为直通矩形波导，另一部分为周期排列的微开口矩形腔，二极管调控微结构芯片包括芯片基板、接地金属块、不接地金属块、高阻抗馈电线、低阻抗馈电金属块、二极管；非调控微结构芯片包括非调控芯片基板、非调控接地金属块、非调控不接地金属块；二极管调控微结构芯片与非调控微结构芯片分别嵌入在直通矩形波导两个长边上呈现对称分布的两个微开口矩形腔中。
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公开(公告)号：CN117410721A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311618612.2
申请日：2023-11-29
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开的基于苝结构的广角宽频多波段太赫兹透反射线圆极化转换超表面器件，其器件为超表面结构，谐振结构是在苝的化学结构上进行合理设计与衍生，并在特定的位置进行开口与联接，并与正六边形的苯结构共同组成一个谐振整体。该超表面器件能够在特定频段内将入射的线极化太赫兹波转化成圆极化的太赫兹波，并在透射和反射两个方向同时发射。该发明能够在多个频率内实现透反射线圆极化转换，在0.182THz至0.283THz之间的存在最大极化带宽为43.5％，同时在该频段入射角到0度到75度仍然能保持透反射型线圆极化转换功能。在0.438THz至0.498THz之间的极化带宽为12.8％，入射角在0度到65度仍然存在圆极化转换功能。
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公开(公告)号：CN116259980A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310419590.0
申请日：2023-04-19
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹电控复合谐振可重构智能表面，包括自下而上逐层设置的金属底板、介质基板和相移结构层；所述相移结构层包括以M×N正交阵列方式设置的相移单元，每一列相移单元都有阳极引出线和阴极引出线；所述相移单元包括一个圆环形谐振环和振荡结构。本发明中采用二维平面人工微结构，通过单层阵列实现对太赫兹波的相位调控，并且该结构简单可通过微细加工手段实现，工艺成熟，易于制作；本发明通过电控来进行工作，从而实现相位的动态宽带调控。而不需要外加光激励、温度激励等其他较为复杂的激励方式，使得该器件在小型化、实用化与产量化方面具有很大的优势。
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公开(公告)号：CN116169449A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310225544.7
申请日：2023-03-03
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H01P1/38
Abstract: 本发明公开了一种基于时空调制的耦合式太赫兹片上环形器，包括介质基板、微带传输线、微带耦合线、微带扇形滤波器、变容二极管、太赫兹信号输入输出端口、调制信号输入端口、接地端口以及十字形微带传输线联结。本发明在无外加磁偏置的情况下通过给三个调制端口施加幅度相同相位相差120°的正弦信号以及相同的直流偏置，可实现140GHz附近电磁波的三端口非互易传输，具有结构小巧，加工方便，隔离度高且便于与其他片上太赫兹器件集成等优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116111302A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310216624.6
申请日：2023-03-03
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种面向太赫兹通感一体化的无磁同时同频双工器，包括介质基板、微带阶梯阻抗滤波器、变容二极管、太赫兹信号输入输出端口、调制信号输入端口、接地端口以及Y形微带传输线联结。本发明通过分布参数电路的设计，克服了集总参数电路的无磁同时同频双工器在高频情况下不适配的问题。本发明的主要结构由微带电路构成，连接外部调制信号的端口和接地的端口包含集总元件滤波器，整体结构结构简单，且易于加工和集成。
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公开(公告)号：CN115799780A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211513120.2
申请日：2022-11-28
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新型片上编码移相器，属于电磁波传输功能器件技术领域，解决了现有SSPP传输线的相关研究，截止到目前仍然停留在单一编码状态下的调控，造成调控的范围、精度以及灵活性都非常有限的问题，其包括介质基板、两个过渡结构以及SSPP传输线，SSPP传输线设在介质基板上，两个过渡结构设在SSPP传输线两侧，SSPP传输线包括多个数字编码调控单元；每个数字编码调控单元都包括端部依次连接的横向金属板、纵向金属板、二极管以及金属谐振环贴片；每个金属谐振环贴片上都设有电压控制线。本发明通过二极管将每个金属谐振环贴片连接，基本数字编码调控单元结构随着加载在上面电控二极管状态的改变而发生相移，实现了对电磁波的动态调控。
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公开(公告)号：CN114284653A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111416210.5
申请日：2021-11-25
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 壹新通信科技(浙江)有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种基于人工表面等离激元耦合调控的片上太赫兹开关，包括输入\输出结构、SSPPs耦合调控结构、SSPPs共面传输结构和SSPPs模式转换结构，所述输入\输出结构为标准共面波导结构，所述SSPPs耦合调控结构包括深度渐变周期槽、中间信号线与相变材料薄膜，深度渐变周期槽的两端分别与输入结构和SSPPs共面传输结构连接，相变材料薄膜嵌入于所述SSPPs耦合调控结构对应的中间信号线中，所述SSPPs共面传输结构包括两组对称分布金属槽与中间信号线，所述SSPPs模式转换结构为所述SSPPs耦合调控结构的全金属镜像对称结构，无相变材料薄膜嵌入，所述中间信号线贯穿整个太赫兹开关。本发明可实现大带宽、低插入损耗、高开关比、低群延时的太赫兹开关调控。
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公开(公告)号：CN114142810A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111484927.3
申请日：2021-12-07
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 壹新通信科技(浙江)有限责任公司
Abstract: 本发明涉及毫米波通信技术领域，公开了一种多端口变压器的Class F压控振荡器，包括交叉耦合晶体管、多端口变压器和可调电容阵列。多端口变压器包括三个绕组，通过第一、第二绕组与第三绕组之间的反馈，即可以得到更大过驱动电压VGS与更快的上升时间，减小了MOS管开关过程噪声至相位的转换，从而改善了VCO的相位噪声性能以更好的应用于毫米波振荡器；通过第三绕组的中心抽头接地，提供较短VCO电源到地的路径，方便电源退耦连接；同时额外的电感也能调节ISF函数与电流的相差，也可以通过以适当减小第三绕组的Q值，以提高其串联电阻，以用于线性化晶体管的操作与减少高阶漏极电流谐波的量。
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公开(公告)号：CN114069180A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111431090.6
申请日：2021-11-29
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 电子科技大学
IPC: H01P3/08
Abstract: 该发明公开了一种基于SSPP的二次多项式正弦过渡结构，属于电磁波传输功能器件技术领域。改进了一种共面波导到SSPP结构的过渡结构。过渡部分采用Vivaldi天线扇形金属贴片以及过渡槽高度采用二次多项式正弦变化组成的过渡结构。该结构相比起原有的均匀直线渐变结构，更容易实现阻抗匹配和改善带内S参数。二次多项式正弦结构相比直线的端口反射系数在带内降低了5到10dB；二次多项式正弦结构相比直线结构在0到8GHz带内消除了3GHz处的阻带。该过渡结构针对Vivaldi天线扇形金属贴片具有动态调整能力，可以更好的实现阻抗变化和波矢匹配，改善端口反射系数和传输系数。
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