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公开(公告)号：CN118724589B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411216285.2
申请日：2024-09-02
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明属于电子功能陶瓷材料及其制造技术领域，公开了一种高介复合LTCC材料的制备方法及系统。本发明提供的高介低损耗LTCC材料，采用适量的LiNb0.6Ti0.34(Cu1/3Nb2/3)0.16O3和LiBa3Nb3Ti5O21进行复合，并借助少量的同样含Li离子的LiF来进行掺杂助熔。由于LiNb0.6Ti0.34(Cu1/3Nb2/3)0.16O3和LiBa3Nb3Ti5O21材料都具有高介和低损耗的特性，前者具有负的谐振频率温度系数，后者具有正的谐振频率温度系数，将两种预烧料按适当比例复合，如果复合过程中不产生其他另相，完全可以将谐振频率温度系数进行调零，并且仍然能维持高的介电常数和Qf值。同时采用少量也包含Li离子的LiF来进行助熔，研究发现这种助熔剂对于本发明中的这种复合材料体系有很好的包容性，可以有效将材料体系的烧结温度降低至900℃而对其电性能几乎无明显影响。
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公开(公告)号：CN118851759A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410842580.2
申请日：2024-06-27
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明属于电子陶瓷材料及其制造技术领域，公开了一种超低损耗低温烧结微波陶瓷材料及其制备方法，本发明提供的LTCC材料，采用适量的Li3Mg2NbO6、Li2WO4和(Li0.5Y0.5)MoO4按一定比例进行三相复合得到。Li3Mg2NbO6材料的优点是具有很低的介电损耗，同时复合加入适量的Li2WO4则有助于改善材料体系的微观形貌，提升致密化程度，在维持很低介电损耗的同时，将材料体系的烧结温度降低至925～950℃。而适量(Li0.5Y0.5)MoO4的复合一方面可以进一步将材料体系烧结温度进一步降低至890～900℃，从而能更好的与LTCC工艺兼容，同时还能调控材料的谐振频率温度系数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116639967B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310687411.1
申请日：2023-06-12
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C04B35/16 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷材料及其制造技术领域，公开了一种低介低损耗复合LTCC材料、制备方法及应用，LTCC材料，基于SrCuSi4O10与(Li0.5Y0.5)MoO4进行固相反应法复合获得，可同时解决低温烧结和调节谐振频率温度系数的问题，同时复合材料介电常数和介电损耗也很低，满足低介低损耗的要求。该复合材料可以在不添加任何助熔剂的情况下，实现材料体系900℃左右的低温烧结，同时材料的谐振频率温度系数也能调整到±10ppm/℃以内，材料的介电常数也在7.7～8.0之间，Qf值超过了46000GHz，在LTCC集成器件和基板中具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN118724589A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411216285.2
申请日：2024-09-02
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明属于电子功能陶瓷材料及其制造技术领域，公开了一种高介复合LTCC材料的制备方法及系统。本发明提供的高介低损耗LTCC材料，采用适量的LiNb0.6Ti0.34(Cu1/3Nb2/3)0.16O3和LiBa3Nb3Ti5O21进行复合，并借助少量的同样含Li离子的LiF来进行掺杂助熔。由于LiNb0.6Ti0.34(Cu1/3Nb2/3)0.16O3和LiBa3Nb3Ti5O21材料都具有高介和低损耗的特性，前者具有负的谐振频率温度系数，后者具有正的谐振频率温度系数，将两种预烧料按适当比例复合，如果复合过程中不产生其他另相，完全可以将谐振频率温度系数进行调零，并且仍然能维持高的介电常数和Qf值。同时采用少量也包含Li离子的LiF来进行助熔，研究发现这种助熔剂对于本发明中的这种复合材料体系有很好的包容性，可以有效将材料体系的烧结温度降低至900℃而对其电性能几乎无明显影响。
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公开(公告)号：CN117096563A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311247999.5
申请日：2023-09-25
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于微波无源器件技术领域，公开了一种小型化超宽带叠层环行器，包括：中心结、微带电路、第一LTCC陶瓷介质环、铁氧体基片、第一金属接地层、金属填孔、带状线电路、第二LTCC陶瓷介质环及第二金属接地层；微带电路与中心结位于铁氧体基片与第一LTCC陶瓷介质环上表面并形成连接，第一金属接地层位于第二LTCC陶瓷介质环上表面并与位于第二LTCC陶瓷介质环下表面的第二金属接地层通过金属通孔进行连接，带状线电路位于第二LTCC陶瓷介质环内部，与微带电路连接，形成三维叠层结构，同时与外部端口连接实现馈电。本发明突破了目前环行器宽带宽与小型化不可兼容的限制，实现了小型化与超宽带化的优良性能。
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公开(公告)号：CN117096562A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311246461.2
申请日：2023-09-25
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种基于LTCC工艺的复合铁氧体宽带环行器，属于微波通信技术中的铁氧体环行器领域，包括中心导体、中心铁氧体圆柱、铁氧体环、陶瓷介质板、第一金属接地层、第一导体过孔金属填孔、第一LTCC多层陶瓷介质板、第二导体过孔金属填孔、第二金属接地层及第三金属接地层等。中心导体位于陶瓷介质板与铁氧体上表面；带线电路位于LTCC多层介质板内，与三个外接端口相连接；金属通孔将中心导体与带线电路进行连接，形成三维叠层结构；铁氧体采用复合结构，中心铁氧体圆柱体外套铁氧体圆环，并施加垂直于环行器的偏置磁场。本发明采用复合结构铁氧体，利用基于LTCC工艺的带状传输线，有效减少环行器体积，同时实现更宽的工作带宽。
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公开(公告)号：CN116639967A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310687411.1
申请日：2023-06-12
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C04B35/16 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷材料及其制造技术领域，公开了一种低介低损耗复合LTCC材料、制备方法及应用，LTCC材料，基于SrCuSi4O10与(Li0.5Y0.5)MoO4进行固相反应法复合获得，可同时解决低温烧结和调节谐振频率温度系数的问题，同时复合材料介电常数和介电损耗也很低，满足低介低损耗的要求。该复合材料可以在不添加任何助熔剂的情况下，实现材料体系900℃左右的低温烧结，同时材料的谐振频率温度系数也能调整到±10ppm/℃以内，材料的介电常数也在7.7～8.0之间，Qf值超过了46000GHz，在LTCC集成器件和基板中具有很好的应用前景。
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