公开(公告)号：CN114590790B

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202111472010.1

申请日：2021-12-06

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 邢孟江 ,  樊庆扬 ,  代传相 ,  邢孟道 ,  刘永红

IPC: C01B32/05

Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂碳材料，所述氮掺杂碳材料的空间群为Fd‑3c，晶格参数a=b=c=1.10592nm±0.5%。本发明还公开了上述氮掺杂碳材料的制备方法。通过将三聚氯氰和NH2NH2设置为主要材料，因其材料成本较低，制备过程产生的废液较少，同时制备工艺简单，易于大批量生产。

公开(公告)号：CN114293259A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111472054.4

申请日：2021-12-06

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 邢孟江 ,  樊庆扬 ,  代传相 ,  邢孟道 ,  刘永红

IPC: C30B29/40 ,  C30B1/12 ,  C30B28/02

Abstract: 本发明公开了一种氮化硼晶体，所述氮化硼晶体的空间群为IM‑3，晶格参数a=b=c=14.034（±0.5%），晶体结构是具有大直径纳米孔的拓扑结构。该氮化硼晶体物理特性较好。本发明还提供上述氮化硼晶体的制备方法，废液产生率低，过程中杂质少，且原料丰富，成本低。

公开(公告)号：CN114590790A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202111472010.1

申请日：2021-12-06

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 邢孟江 ,  樊庆扬 ,  代传相 ,  邢孟道 ,  刘永红

IPC: C01B32/05

Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂碳材料，所述氮掺杂碳材料的空间群为Fd‑3c，晶格参数a=b=c=1.10592nm±0.5%。本发明还公开了上述氮掺杂碳材料的制备方法。通过将三聚氯氰和NH2NH2设置为主要材料，因其材料成本较低，制备过程产生的废液较少，同时制备工艺简单，易于大批量生产。