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公开(公告)号：CN114590790A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111472010.1
申请日：2021-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C01B32/05
Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂碳材料，所述氮掺杂碳材料的空间群为Fd‑3c，晶格参数a=b=c=1.10592nm±0.5%。本发明还公开了上述氮掺杂碳材料的制备方法。通过将三聚氯氰和NH2NH2设置为主要材料，因其材料成本较低，制备过程产生的废液较少，同时制备工艺简单，易于大批量生产。
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公开(公告)号：CN114275745A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111472062.9
申请日：2021-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C01B21/06
Abstract: 本发明公开了一种氮化铜粉体制备方法，包括：构建至少一层支撑层和设于所述支撑层上的至少一层牺牲层，牺牲层被配置为可通过外界条件改变而改性；在所述牺牲层上培育薄膜并使其生长；改变外界条件使所述牺牲层改性并得到单独薄膜；对得到的单独薄膜进行清洗并干燥处理，再通过研磨、过筛，得到氮化铜粉体。通过上述方法，得到独立的薄膜，并在薄膜的基础上进行研磨、过筛，从而得到氮化铜粉体，此方法相对现有方法，加热温度小、无需加压，从而耗能小，更具有环保性，且操作简便、实用性强、优产等诸多优点，具有很高的应用前景。
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公开(公告)号：CN114409413A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111472033.2
申请日：2021-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C04B35/583 , C04B35/622 , C04B38/08
Abstract: 本发明公开了一种氮化硅陶瓷基板，包括按质量分数占氮化硅陶瓷基板总体质量50%‑90%的氮化硅空心球体，剩余为添加剂和/或助剂以及无法去除的杂质。本发明氮化硅陶瓷基板，通过将氮化硅空心球体设置为主要材料，因其空心从而具备良好的导热率、密度较小和较低的相对介电常数，同时制备工艺简单，易于大批量生产。本发明还公开了上述氮化硅陶瓷基板的制造方法。
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公开(公告)号：CN114300175A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111472035.1
申请日：2021-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种氮化铜基印刷电极，包括：25‑75%的致密铜、20‑70%的氮化铜以及5‑10%的辅助材料，其中，所述致密铜被配置为占电极横截面截面积的30%‑80%。通过上述方案得到的氮化铜基印刷电极具有可印刷、导电率高、性能稳定、成本低、方便大规模制造等特点，可用于高性能集成芯片制造。本发明还公开一种氮化铜基印刷电极制造方法。
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公开(公告)号：CN114267472A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111472008.4
申请日：2021-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种氮化铜浆料，包括：一种氮化铜浆料，包括按质量百分比的如下组分：氮化铜粉体75‑90%、黏结剂1‑15%、有机溶剂5‑30%、增稠剂1‑5%、助剂0.5‑5%。上述方案使得电子印刷后电极不会发生氧化反应，在电极、电子线路印刷成型后，通过高温加热的方式，氮化铜浆料将发生化学分解反应转换为致密的铜电极。其反应速度快，生成的铜致密度高，且在氮气环境中发生反应，能够极大的减小铜粉表面的氧化反应发生，进而实现高质量、高致密度铜导体线路的制造。本发明还公开了氮化铜浆料的制备方法以及应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114212760A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111472052.5
申请日：2021-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种超细氮化铜粉体的制备方法，包括：构建至少一层支撑层和设于所述支撑层上的至少一层牺牲层，牺牲层被配置为可通过外界条件改变而改性；在所述牺牲层上培育薄膜并使其生长；改变外界条件使所述牺牲层改性并得到单独薄膜。通过构建至少一层支撑层和至少一层牺牲层，并通过改变外界条件使得牺牲层失效，使得薄膜和支撑层脱离，得到独立的薄膜，此结构对于薄膜分离、转移具有很好的应用价值，能够为集成电路、芯片制造中难以剥离的薄膜提供了一种简单便捷的薄膜分离方式。可以广泛应用于集成电路、芯片制造以及薄膜产品制造的相关工艺。
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公开(公告)号：CN114362707A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111495358.2
申请日：2021-12-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明涉及一种LTCC小型化双工器，属于双工器技术领域。本发明包括LTCC基体层，LTCC基体层形成有双工器电路结构，双工器电路结构由低通滤波电路和高通滤波电路组成，低通滤波电路包括串联在共用输入端口和低频输出端口之间的电感，相邻两个电感之间连接有与接地端口连接的电容，高通滤波电路包括串联在共用输入端和高频输出端口之间的电容，相邻两个电容之间连接有与接地端口连接的电感，本发明通过合理三维布局，利用各元件的寄生参数，实现抑制低通双工器上的寄生通带和优化高通双工器带外抑制的效果。
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公开(公告)号：CN114374369A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111495363.3
申请日：2021-12-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明涉及一种基于LTCC工艺的具有低频传输零点的双工器，属于双工器技术领域。本发明包括LTCC基体层，LTCC基体层形成有双工器电路结构，双工器电路结构由低通滤波电路和带通滤波电路组成，低通滤波电路包括串联在共用输入端口和低频输出口端口之间的第一电感和第一并联谐振器，第一电感和第一并联谐振器之间连接有接地的第一电容，带通滤波电路包括串联在共用输入端口和高频输出端口之间的第一串联谐振器和第二串联谐振器，第一串联谐振器和第二串联谐振器之间连接有第三串联谐振器，第三串联谐振器连接有接地的第二并联谐振器，本发明通过在低通滤波电路引入并联谐振器，在带外引入一个带外零点，增加低通支路的的带外抑制。
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公开(公告)号：CN114293259A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111472054.4
申请日：2021-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种氮化硼晶体，所述氮化硼晶体的空间群为IM‑3，晶格参数a=b=c=14.034（±0.5%），晶体结构是具有大直径纳米孔的拓扑结构。该氮化硼晶体物理特性较好。本发明还提供上述氮化硼晶体的制备方法，废液产生率低，过程中杂质少，且原料丰富，成本低。
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公开(公告)号：CN114590790B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202111472010.1
申请日：2021-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C01B32/05
Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂碳材料，所述氮掺杂碳材料的空间群为Fd‑3c，晶格参数a=b=c=1.10592nm±0.5%。本发明还公开了上述氮掺杂碳材料的制备方法。通过将三聚氯氰和NH2NH2设置为主要材料，因其材料成本较低，制备过程产生的废液较少，同时制备工艺简单，易于大批量生产。
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