公开(公告)号：CN116314387A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310036843.6

申请日：2023-01-10

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 刘富才 ,  李长存 ,  梁磊

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L31/09 ,  H01L31/101

Abstract: 本发明公开了一种基于新型二维拓扑材料的宽波段光电探测器及其制备方法，本发明涉及光电探测器制备技术领域。该方法包括以下步骤：将Ni粉、Ta粉和Te粉混合，研磨；投入石英管中，加入碘，加热，同时建立温差，保持一周，冷却，然后在低温区获取的晶体材料中挑选，得到纯相的目标单晶样品；解离到薄层，并转移到基底上，然后和刻有电极图案的掩模版进行贴合与固定，再在蒸镀Cr/Au电极，制得基于新型二维拓扑材料的宽波段光电探测器。本发明制得的基于Ta2Ni3Te5薄片的光电探测器在自供电模式下呈现出快速响应时间、高响应度和非局域化光电流响应，本发明解决了现有技术中光电探测器性能较差的问题。

公开(公告)号：CN115863458A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202310034144.8

申请日：2023-01-10

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 刘富才 ,  李长存

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L31/09 ,  H01L31/101

Abstract: 本发明公开了一种基于新型二维半金属材料的宽波段光电探测器及其制备方法，本发明涉及光电探测器制备技术领域。该方法包括以下步骤：将3d磁性过渡金属粉、Ta粉和Te粉混合，研磨，制得混合原料；投入石英管中，加入碘，抽真空密封，加热，同时建立的温差，保持一周，冷却至室温，然后在低温区获取的晶体材料中挑选，得到纯相的目标单晶样品；采用机械剥离法解离到薄层，并转移到基底上，然后与刻有电极图案的掩模版进行贴合与固定，然后蒸镀Cr/Au电极，制得基于新型二维半金属材料的宽波段光电探测器。其光电探测的范围有望拓展到远红外光区甚至是太赫兹波段。

公开(公告)号：CN115498058A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211029841.6

申请日：2022-08-25

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 刘富才 ,  李长存 ,  刘庆 ,  周雷

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明公开了一种基于二维磁性材料的宽波段光电探测器及其制备方法，以二氧化硅为支撑衬底，二维磁性单晶薄膜为沟道层，金属电极为电极层，hBN为封装层制备得到，其中二维磁性单晶薄膜由二维磁性单晶材料经机械剥离后制得；宽波段光电探测器的可见光区响应时间为121.7ms，响应度为26.1A/W。本发明通过探索二维磁性材料的磁性和光电特性之间的相互作用，在开发先进的自旋‑光电器件应用方面具有巨大的潜能。