公开(公告)号：CN115498058A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211029841.6

申请日：2022-08-25

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 刘富才 ,  李长存 ,  刘庆 ,  周雷

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明公开了一种基于二维磁性材料的宽波段光电探测器及其制备方法，以二氧化硅为支撑衬底，二维磁性单晶薄膜为沟道层，金属电极为电极层，hBN为封装层制备得到，其中二维磁性单晶薄膜由二维磁性单晶材料经机械剥离后制得；宽波段光电探测器的可见光区响应时间为121.7ms，响应度为26.1A/W。本发明通过探索二维磁性材料的磁性和光电特性之间的相互作用，在开发先进的自旋‑光电器件应用方面具有巨大的潜能。

公开(公告)号：CN115274856A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202211046886.4

申请日：2022-08-30

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 刘富才 ,  宋苗苗 ,  刘庆

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/26 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种基于二维铁电半导体的光调控铁电存储器件及其制备方法，该存储器件包括支撑衬底，支撑衬底上部设置有导电沟道，导电沟道上设置有源极电极、漏极电极和绝缘介电层，源极电极和漏极电极分别设置于半导体沟道两端，绝缘介电层上部依次设置有石墨烯中间栅极、铁电介质层、石墨烯顶栅和金属顶栅。使用二维层状铁电材料CuInP2S6。结合CuInP2S6的极化电场对沟道电阻的控制可受光信号调控的现象与MFMIS结构增强铁电极化稳定性实现了晶体管光调控阻态的记忆行为。