公开(公告)号：CN112269112A

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202011092488.7

申请日：2020-10-14

Applicant: 电子科技大学中山学院

Inventor： 陈李胜 ,  胡云峰 ,  王昕 ,  李俊生 ,  叶灿明 ,  黄文勇 ,  孔文浩 ,  余冲 ,  常泽玺 ,  文毅 ,  陈卉 ,  何志红 ,  刘亮元 ,  周李梦男 ,  陈东伟

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种半导体电容电压特性测试方法及电路，方法是基于利用PN结或肖特基势垒在反向偏置电压下的电容特性，得出待测半导体的杂质浓度及其分布信息，进而测试出电容电压特性；通过CPLD电路和MCU电路建立通讯，将测量得到的数据进行计算并显示出来，同时和电压以及电流表头进行通讯，得到表头测量的偏置电压值与漏电流值，而后将其传输至上位机。分析了测量系统的误差来源，对测量误差进行了补偿，减小了误差对测量结果的影响；此外，设置偏置电压源有效地解决了直流偏置电压的范围小的问题。

公开(公告)号：CN220137310U

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202321408595.5

申请日：2023-06-05

Applicant: 电子科技大学中山学院 ,  广州昆德半导体测试技术有限公司

Inventor： 胡云峰 ,  陈李胜 ,  王昕 ,  李俊生 ,  叶灿明 ,  文毅 ,  陈卉

IPC: G01R31/26 ,  G01R19/00 ,  G01R31/52

Abstract: 本实用新型公开了一种半导体电容电压特性测试电路，测试电路包括信号源模块、测量模块、数字处理模块、信号转换模块、显示模块、按键模块、数据通讯模块和为其他模块供电的电源模块；本实用新型通过CPLD电路和MCU电路建立通讯，将测量得到的数据进行计算并显示出来，同时和电压以及电流表头进行通讯，得到表头测量的偏置电压值与漏电流值，之后将其传输至上位机；本实用新型分析了测量系统的误差来源，对测量误差进行了补偿，减小了误差对测量结果的影响；还设置偏置电压源有效地解决了直流偏置电压的范围小的问题。