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公开(公告)号：CN113484611B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202110856258.1
申请日：2021-07-28
Applicant: 广州昆德半导体测试技术有限公司
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种半绝缘半导体迁移率磁阻效应测量方法，对装载被测样片的样品台及其上方悬挂的采样电极棒施加脉冲电压以形成两个电容，测量获得无磁场和施加磁场的两个电容的不同充电时间常数反映的磁阻变化参数，根据迁移率与磁阻效应关系式计算得出迁移率，将样品作为电容器的介质，当电容器上施加脉冲电压后，电容放电时间判断电介质的电阻率大小，同时利用在样品上施加磁场后，产生磁阻效应，增加了放电时间，据磁场施加前后的时间差可以计算出迁移率，特别是适用于测量高迁移率半绝缘半导体材料，实现了无接触式、无需对样品切割便能够实施测量工作，只要把测得的二个时间常数和磁场强度代入，即得到迁移率，测量工况友好易操作。
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公开(公告)号：CN113960385A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202011593090.1
申请日：2020-12-29
Applicant: 广州昆德半导体测试技术有限公司 , 广州市昆德科技有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开一种移动式高频光电导载流子寿命测试探头，包括：罩体、屏蔽盒、高频源、检波器、激光器光纤、第一弹性电极、第一微动开关、电极固定板、连接板、红外透镜；高频源、检波器设于屏蔽盒内部；高频源向测试单晶输送高频电流，检波器在高频电流中解调单晶电导率的变化过程，得到光电导衰退信号；激光器光纤一端穿过光纤固定口，另一端延伸至光纤光源出口，与红外透镜的镜面相贴；第一弹性电极穿过电极固定板、绝缘底座，第一弹性电极首端与第一微动开关配合连接，末端高出绝缘底座；当探头压在单晶测量面时，第一弹性电极上升使第一微动开关接通高频源的电源。本发明可离开主机在大直径单晶各处测量，提高了测试速度和准确度。
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公开(公告)号：CN113484611A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110856258.1
申请日：2021-07-28
Applicant: 广州昆德半导体测试技术有限公司
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种半绝缘半导体迁移率磁阻效应测量方法，对装载被测样片的样品台及其上方悬挂的采样电极棒施加脉冲电压以形成两个电容，测量获得无磁场和施加磁场的两个电容的不同充电时间常数反映的磁阻变化参数，根据迁移率与磁阻效应关系式计算得出迁移率，将样品作为电容器的介质，当电容器上施加脉冲电压后，电容放电时间判断电介质的电阻率大小，同时利用在样品上施加磁场后，产生磁阻效应，增加了放电时间，据磁场施加前后的时间差可以计算出迁移率，特别是适用于测量高迁移率半绝缘半导体材料，实现了无接触式、无需对样品切割便能够实施测量工作，只要把测得的二个时间常数和磁场强度代入，即得到迁移率，测量工况友好易操作。
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公开(公告)号：CN114325053A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111658189.X
申请日：2021-12-30
Applicant: 广州昆德半导体测试技术有限公司
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种四探针电阻率及方阻测试仪，包括电源模块、单片机模块、USB通讯模块、恒流源模块、人机交互模块、四探针探头、电流显示、电压显示。人机交互模块通过USB通讯模块与单片机模块进行通讯连接，再控制恒流源为四探针探头选择合适探测电流；四探针探头按压于待测材料表面，根据电流显示、电压显示得到的数据计算待测材料的电阻率和方阻。本发明根据检测材料的情况，自动快速选择合适的电流，并计算材料电阻率、方阻，无需人工介入，与工业生产线智能结合，提高了材料的检查率和生产效率。本发明采用固定间隔触发信号控制，在固定的周期内自动完成由正向反向流通的切换，进行2次测量，可进一步提高材料的检测精度。
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公开(公告)号：CN113960385B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202011593090.1
申请日：2020-12-29
Applicant: 广州昆德半导体测试技术有限公司 , 广州市昆德科技有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开一种移动式高频光电导载流子寿命测试探头，包括：罩体、屏蔽盒、高频源、检波器、激光器光纤、第一弹性电极、第一微动开关、电极固定板、连接板、红外透镜；高频源、检波器设于屏蔽盒内部；高频源向测试单晶输送高频电流，检波器在高频电流中解调单晶电导率的变化过程，得到光电导衰退信号；激光器光纤一端穿过光纤固定口，另一端延伸至光纤光源出口，与红外透镜的镜面相贴；第一弹性电极穿过电极固定板、绝缘底座，第一弹性电极首端与第一微动开关配合连接，末端高出绝缘底座；当探头压在单晶测量面时，第一弹性电极上升使第一微动开关接通高频源的电源。本发明可离开主机在大直径单晶各处测量，提高了测试速度和准确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115078949A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210858509.4
申请日：2022-07-20
Applicant: 广州昆德半导体测试技术有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种载流子浓度镓基液态金属测量探头，导电线连接碳化钨棒，碳化钨棒的一端伸入由抗腐蚀材料制成的液态金属容器中，液态金属容器开设有贯通的容腔和毛细管，容腔连通毛细管；所述容腔内部填注镓基液态金属，镓基液态金属浸没碳化钨棒，利用在毛细管内的镓基液态金属形成测量探针，解决了探针安全性和环保的问题；该测量探针与测量样品为面接触，相比传统探针的点接触能够增大接触面积，使得测量数据的重复性好，提升了测量数据的准确度；使用诸如聚四氟乙烯等抗腐蚀材料的液态金属的容器及其毛细管，既不会被镓基合金腐蚀，也不会与镓基液态金属发生粘连，提升了镓基液态金属的流动性，从而提升测量精度。
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公开(公告)号：CN114252003A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111501625.2
申请日：2021-12-09
Applicant: 广州昆德半导体测试技术有限公司
IPC: G01B7/06
Abstract: 本发明公开了一种铜箔厚度测量探针及其探测头，包括用于接触铜箔测量面的针杆，针杆的一端插置于针管内，针杆在针管内作轴向运动；所述针管内设置弹簧，弹簧抵住针杆以使针杆在弹簧力作用下紧密地接触铜箔测量面，多根探针穿过锥座且通过导电线与航空插座连接，该探头采用导电弹性针杆与覆铜板铜箔表面接触，避免了对铜箔材料造成机械损伤，能够保证测量的良好电学接触，保证了方块电阻测量数据的准确度和重复性以及再现性，各条探针之间根据待测平面受力略有不同，能够实时适应各种差异性的平面，真实地反映接触点的准确测量数据，提高测量精度。
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公开(公告)号：CN109100631A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811105911.5
申请日：2018-09-21
Applicant: 广州市昆德科技有限公司 , 广州昆德半导体测试技术有限公司
IPC: G01R31/265
Abstract: 本发明公开了一种硅单晶载流子寿命测量方法，运用S-R-H理论模型，在中等注入水平下寿命与注入比的关系式：通过二次或多次改变注入比ηi，测量出τi，可得到硅单晶的少数载流子寿命τ0和注入比趋于无穷大时的τ∞值，进而得到完整的τ＝f(η)曲线，获得晶体在任何注入比时的寿命值。从而克服国内外现有测量设备对同一晶体给出各不相同测量结果的混乱局面，为发行寿命标准样品，统一全国及全球的载流子寿命测量提供方案。
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公开(公告)号：CN115575679A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211370159.3
申请日：2022-11-03
Applicant: 广州昆德半导体测试技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种液氮温度下的半导体电阻率测量装置，该装置包括：安装底板、样品托架、探针模块、滑台模组、固定竖板、第一铟片、第二铟片、第一铜电极、第二铜电极、第一绝缘衬板、第二绝缘衬板和样品加压活动模组；滑台模组与探针模块连接，探针模块设有多个楔形探针，固定竖板依次与第一绝缘衬板、第一铜电极和第一铟片连接，样品加压活动模组与电极固定板连接，电极固定板依次与第二绝缘衬板、第二铜电极和第二铟片连接，第一铟片、第二铟片分别设于待测样品的端面位置，样品托架和探针模块分别设于待测样品的晶面位置；本发明通过弹簧片给楔形探针加压，保证在低温下楔形探针与样品的良好接触，无需切片制样，快速得到整根单晶的电阻率分布结果。
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公开(公告)号：CN220137310U
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202321408595.5
申请日：2023-06-05
Applicant: 电子科技大学中山学院 , 广州昆德半导体测试技术有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体电容电压特性测试电路，测试电路包括信号源模块、测量模块、数字处理模块、信号转换模块、显示模块、按键模块、数据通讯模块和为其他模块供电的电源模块；本实用新型通过CPLD电路和MCU电路建立通讯，将测量得到的数据进行计算并显示出来，同时和电压以及电流表头进行通讯，得到表头测量的偏置电压值与漏电流值，之后将其传输至上位机；本实用新型分析了测量系统的误差来源，对测量误差进行了补偿，减小了误差对测量结果的影响；还设置偏置电压源有效地解决了直流偏置电压的范围小的问题。
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