公开(公告)号：CN114564907B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202210195724.0

申请日：2022-03-01

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 周琦 ,  罗志华 ,  党其亮 ,  邓超 ,  蔡永莲 ,  母彧丞 ,  张波

IPC: G06F30/367 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开一种GaN HEMT器件阈值电压及漏极电流模型的建立方法。本发明以薛定谔泊松方程、费米狄拉克统计为基础，考虑氮化镓HEMT器件高频、高漏源电压开关条件下阈值电压漂移，基于陷阱中心对沟道载流子的捕获与释放效应，将器件阈值电压漂移模型构建为与器件漏源电压和器件开关频率相关，并基于此构建出可适用于不同漏源电压和开关频率下氮化镓高电子迁移率晶体管阈值电压及漏极电流的解析模型。本发明的GaN HEMT器件阈值电压及漏极电流模型建立方法，解决了目前主流模型在电路仿真平台中无法预测GaN HEMT器件在不同频率不同漏源电压下的阈值电压漂移与电流崩塌现象的缺陷，提升了GaN HEMT器件模型对阈值电压及漏极电流的预测精度。

公开(公告)号：CN114564907A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202210195724.0

申请日：2022-03-01

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 周琦 ,  罗志华 ,  党其亮 ,  邓超 ,  蔡永莲 ,  母彧丞 ,  张波

IPC: G06F30/367 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开一种GaN HEMT器件阈值电压及漏极电流模型的建立方法。本发明以薛定谔泊松方程、费米狄拉克统计为基础，考虑氮化镓HEMT器件高频、高漏源电压开关条件下阈值电压漂移，基于陷阱中心对沟道载流子的捕获与释放效应，将器件阈值电压漂移模型构建为与器件漏源电压和器件开关频率相关，并基于此构建出可适用于不同漏源电压和开关频率下氮化镓高电子迁移率晶体管阈值电压及漏极电流的解析模型。本发明的GaN HEMT器件阈值电压及漏极电流模型建立方法，解决了目前主流模型在电路仿真平台中无法预测GaN HEMT器件在不同频率不同漏源电压下的阈值电压漂移与电流崩塌现象的缺陷，提升了GaN HEMT器件模型对阈值电压及漏极电流的预测精度。

公开(公告)号：CN116362035A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310315631.1

申请日：2023-03-28

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 周春华 ,  母彧丞 ,  周琦 ,  杨宁 ,  李竞研 ,  张健 ,  张波

IPC: G06F30/20 ,  G06F17/11 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种硅基GaN HEMT器件衬底偏置效应仿真建模方法。本发明基于薛定谔泊松方程为基础，考虑GaN HEMT器件在衬底偏置时由于场效应导致的阈值电压漂移以及动态导通电阻退化，将器件所受衬底偏压构建为与器件阈值漂移量一阶线性相关。基于陷阱中心对沟道载流子的捕获与释放效应以及GaN Buffer层的正电荷存储效应，利用SRH统计，构建出不同脉冲衬底偏压大小与GaN HEMT阈值电压和迁移率的非线性指数型关系，最终衬底偏压对模型参数的改变量输入GaN HEMT核心漏极电流解析模型，并应用GaN HEMT器件的大信号仿真与电路设计中，通过测试数据与电路仿真验证了该模型对衬底偏置效应模拟的有效性。