公开(公告)号：CN102709317B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201210186331.X

申请日：2012-06-07

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 任敏 ,  张蒙 ,  魏进 ,  李巍 ,  李泽宏 ,  张金平 ,  张波

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/45 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861

Abstract: 一种低开启电压二极管，属于半导体器件技术领域。本发明利用PN结二极管的耗尽区缩小与增大来控制二极管开启和关断，使得器件在很小的正向电压下就有电流通道。在小的正向电压下，阳极欧姆接触结构的引入就能使得器件在正向导通时产生正向电流；在阳极电压增加到能使得阳极肖特基结构打开时，又会增大正向电流；当所加阳极电压足以使得PN结也导通时，PN结的正向电流能使得二极管正向电流进一步增大。器件反向时，在很小的反向电压下夹断导电沟道，低掺杂的外延层可以承受增加的反向电压，阳极肖特基结构此时又能够帮助减小反向漏电流。采用本发明可以实现二极管低的开启电压，较大的正向电流，较小的反向漏电流和良好的反向恢复特性。

公开(公告)号：CN102280494A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110234794.4

申请日：2011-08-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 陈万军 ,  张竞 ,  汪志刚 ,  魏进 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06

Abstract: 常关型场控沟道GaN异质结二极管，属于半导体器件技术领域。本发明采用绝缘层-凹槽、调制掺杂以及凹槽-调制掺杂相结合的技术改变现有GaN异质结二极管的导电沟道结构，将原有的常开型自发极化GaN异质结导电沟道改成本发明中的自发极化和压电极化相结合的常关型场控导电沟道，实现了GaN异质结二极管导电沟道的场控特性并降低了正向导通电阻和增强了反向截止能力。本发明具有较低的正向导通电阻和功耗，较强的反向截止能力，并且与AlGaN/GaN HEMT功率开关器件工艺兼容，有利于器件的应用。

公开(公告)号：CN102881716A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210364990.8

申请日：2012-09-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 陈万军 ,  张竞 ,  尉中杰 ,  魏进 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778

Abstract: 一种场致隧穿增强型HEMT器件，属于半导体器件技术领域。与常规AlGaN/GaNHEMT器件不同的是，本发明中金属源极是肖特基势垒接触而不是常规结构中的欧姆接触；金属栅极不再位于源极和漏极之间而是通过刻蚀凹槽在远离漏极的源极边缘形成绝缘栅电极。本发明通过采用绝缘层-凹槽技术实现场控导电沟道，由凹槽栅电极上施加的电压实现对其场控导电沟道的电场控制，栅极加正向电压时能带弯曲后电子可以直接隧穿过势垒并且积聚在栅调制的沟道之下，从而实现了常关型沟道，有利于提升器件频率特性，而且不影响器件的反向耐压能力。与此同时，本发明所公布的器件制备工艺与传统工艺兼容，从而为GaN功率集成技术奠定了良好基础。

公开(公告)号：CN102194819A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110105996.9

申请日：2011-04-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 陈万军 ,  魏进 ,  汪志刚 ,  张竞 ,  张波

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/778

Abstract: 一种基于MOS控制的增强型GaN异质结场效应晶体管，属于功率半导体器件技术领域。包括单片集成的低压MOS管和耗尽型GaN异质结场效应晶体管；其中，MOS管的漏极和耗尽型GaN异质结场效应晶体管的源极相连；二者的栅极互连，或者GaN异质结场效应晶体管的栅极与MOS管的源极互连；MOS管和耗尽型GaN异质结场效应晶体管之间采用介质隔离槽隔离。本发明通过控制与耗尽型GaN异质结场效应晶体管相串联的低压MOS管的开关状态实现了将耗尽型GaN异质结场效应晶体管向增强型GaN异质结场效应晶体管的转变，不仅具有低压MOS器件的常关型特性，而且具有耗尽型GaN异质结场效应晶体管的高耐压、低导通电阻等优点，具有良好的频率特性和输出功率密度，适用于高频、大功率领域。

公开(公告)号：CN102709317A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210186331.X

申请日：2012-06-07

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 任敏 ,  张蒙 ,  魏进 ,  李巍 ,  李泽宏 ,  张金平 ,  张波

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/45 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861

Abstract: 一种低开启电压二极管，属于半导体器件技术领域。本发明利用PN结二极管的耗尽区缩小与增大来控制二极管开启和关断，使得器件在很小的正向电压下就有电流通道。在小的正向电压下，阳极欧姆接触结构的引入就能使得器件在正向导通时产生正向电流；在阳极电压增加到能使得阳极肖特基结构打开时，又会增大正向电流；当所加阳极电压足以使得PN结也导通时，PN结的正向电流能使得二极管正向电流进一步增大。器件反向时，在很小的反向电压下夹断导电沟道，低掺杂的外延层可以承受增加的反向电压，阳极肖特基结构此时又能够帮助减小反向漏电流。采用本发明可以实现二极管低的开启电压，较大的正向电流，较小的反向漏电流和良好的反向恢复特性。