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公开(公告)号：CN105981175A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480075113.6
申请日：2014-02-28
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/4236
Abstract: 一种双向IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。其元胞结构包括两个对称设置于衬底漂移区正反两面的MOS结构；衬底漂移区与MOS结构之间具有提供载流子存储功能或电场截止功能的高掺杂埋层，且衬底漂移区采用纵向全超结或半超结结构。本发明提供的双向IGBT结构具有对称的正、反向特性，并在相同的器件耐压下具有更薄的漂移区厚度，更好的载流子浓度分布和电场分布，使器件获得了更好的正向导通特性以及正向导通特性与关断损耗特性的折中。
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公开(公告)号：CN104010424B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410271264.0
申请日：2014-06-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明涉及电子电路技术，具体的说是设计一种线性驱动LED的温度补偿电路。本发明电路，其特征在于，还包括运算放大器、驱动管MN和电阻R；其中，温度采样模块采样LED模块的温度，其输出端接温度补偿模块的输入端；温度补偿模块和参考电压模块的输出电压相加后接运算放大器的正向输入端；运算放大器的负相输入端接驱动管MN的源极，其使能端EN接过温关断模块，其输出端接使能管MN的栅极；LED模块的正极接电源VDD，其负极接开关管MN的漏极；开关管MN的源极通过R后接地GND。本发明的有益效果为，既可以实现温度升高，LED电流自适应降低，也可以实现超过设定的温度后直接关闭电路，实现了LED的温度双重保护。本发明尤其适用于LED驱动的温度补偿电路。
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公开(公告)号：CN103996702A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410226730.3
申请日：2014-05-26
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L29/7838 , H01L29/0626 , H01L29/0634
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种提高超结功率器件雪崩耐量的终端结构。本发明在器件终端区中提出终端击穿区，将雪崩击穿点限定在终端击穿区中，从而既避免了元胞击穿的寄生BJT导通问题，又避免了常规终端击穿时的雪崩电流路径过长，造成局部温升的问题，因此能够提高超结功率器件的雪崩耐量和可靠性。本发明的有益效果为，有效的缩短了器件雪崩击穿点在终端时的雪崩电流路径，在不影响器件击穿电压的前提下，提高了器件的抗UIS失效能力，提高了器件的可靠性。本发明尤其适用于超结功率器件。
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公开(公告)号：CN104103522B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410333424.X
申请日：2014-07-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体工艺制造技术领域，具体的说是涉及一种高耐压超结终端结构的制备方法。本发明的方法为通过两次刻蚀和一次外延填充工艺，在终端区形成比元胞区更深的第二导电类型半导体柱，且在终端区第二导电类型半导体柱顶端引入了第二导电类型场限环结构。本发明的有益效果为，提高了终端区的击穿电压，使雪崩击穿发生在元胞区，由于元胞区具有更强的电流处理能力，器件的可靠性得到提高。本发明尤其适用于高耐压超结终端结构的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104183627B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410439266.6
申请日：2014-08-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种表面电场优化的超结功率器件终端结构。本发明提出的优化超结功率器件表面电场的终端结构在超结功率器件终端区表面设置阶梯形第一导电类型半导体轻掺杂区5，使终端区表面电场平坦性得到了理想的改善，提高了器件阻断特性的稳定性，提高了器件的可靠性；同时也提高了器件的耐压能力。本发明尤其适用于超结功率器件终端结构。
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公开(公告)号：CN104010424A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410271264.0
申请日：2014-06-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明涉及电子电路技术，具体的说是设计一种线性驱动LED的温度补偿电路。本发明电路，其特征在于，还包括运算放大器、驱动管MN和电阻R；其中，温度采样模块采样LED模块的温度，其输出端接温度补偿模块的输入端；温度补偿模块和参考电压模块的输出电压相加后接运算放大器的正向输入端；运算放大器的负相输入端接驱动管MN的源极，其使能端EN接过温关断模块，其输出端接使能管MN的栅极；LED模块的正极接电源VDD，其负极接开关管MN的漏极；开关管MN的源极通过R后接地GND。本发明的有益效果为，既可以实现温度升高，LED电流自适应降低，也可以实现超过设定的温度后直接关闭电路，实现了LED的温度双重保护。本发明尤其适用于LED驱动的温度补偿电路。
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公开(公告)号：CN103996702B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410226730.3
申请日：2014-05-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种提高超结功率器件雪崩耐量的终端结构。本发明在器件终端区中提出终端击穿区，将雪崩击穿点限定在终端击穿区中，从而既避免了元胞击穿的寄生BJT导通问题，又避免了常规终端击穿时的雪崩电流路径过长，造成局部温升的问题，因此能够提高超结功率器件的雪崩耐量和可靠性。本发明的有益效果为，有效的缩短了器件雪崩击穿点在终端时的雪崩电流路径，在不影响器件击穿电压的前提下，提高了器件的抗UIS失效能力，提高了器件的可靠性。本发明尤其适用于超结功率器件。
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公开(公告)号：CN104183627A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410439266.6
申请日：2014-08-29
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/0634
Abstract: 本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种表面电场优化的超结功率器件终端结构。本发明提出的优化超结功率器件表面电场的终端结构在超结功率器件终端区表面设置阶梯形第一导电类型半导体轻掺杂区5，使终端区表面电场平坦性得到了理想的改善，提高了器件阻断特性的稳定性，提高了器件的可靠性；同时也提高了器件的耐压能力。本发明尤其适用于超结功率器件终端结构。
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公开(公告)号：CN104103522A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410333424.X
申请日：2014-07-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66712 , H01L29/0638
Abstract: 本发明涉及半导体工艺制造技术领域，具体的说是涉及一种高耐压超结终端结构的制备方法。本发明的方法为通过两次刻蚀和一次外延填充工艺，在终端区形成比元胞区更深的第二导电类型半导体柱，且在终端区第二导电类型半导体柱顶端引入了第二导电类型场限环结构。本发明的有益效果为，提高了终端区的击穿电压，使雪崩击穿发生在元胞区，由于元胞区具有更强的电流处理能力，器件的可靠性得到提高。本发明尤其适用于高耐压超结终端结构的制备。
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