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公开(公告)号：CN103489907B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310420417.9
申请日：2013-09-16
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种绝缘栅双极型晶体管。本发明所述的绝缘栅双极型晶体管，采用一个双极型晶体管BJT及一个第二种导电类型的金属-绝缘体-半导体场效应晶体管MISFET组合形成IGBT，在第二种导电类型的MISFET的第二种导电类型的半导体材料上表面上形成了第一种导电类型的体区，在体区中形成了第一种由绝缘材料和半绝缘材料或导体构成的槽栅结构，在体区中还形成了第二种导电类型的半导体作为MISFET的源区；在体区中还形成了第一种导电类型的半导体区，在体区中形成了第二种由绝缘材料和半绝缘材料或导体构成的槽栅结构。本发明的有益效果为，具有低导通压降、快关断的优点。本发明尤其适用于绝缘栅双极型晶体管。
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公开(公告)号：CN111610202B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202010494839.0
申请日：2020-06-03
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01N23/00
Abstract: 本发明提出了一种基于时间反演的介质材料损伤探测系统及方法，用于解决现有技术中存在的复杂环境下探测准确度较低的技术问题，本发明的探测方法包括以下步骤：建立三维坐标系；采样模块记录接收天线坐标和待探测介质材料外部几何信息刨分后的结点坐标；时间反演镜采集无损伤介质材料和待探测介质材料的散射信号；时间反演计算模块对时间反演镜采集的散射信号进行时域取反；傅里叶变换模块对时域取反后的信号进行傅里叶变换；损伤目标判断模块判断是否有损伤；共轭计算模块对损伤目标信号取共轭；反演场计算模块计算所有网格刨分结点的反演场；损伤目标位置筛选模块筛选损伤目标位置。
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公开(公告)号：CN104124972B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410390039.9
申请日：2014-08-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03M1/38
Abstract: 本发明提供一种基于电荷再分配的10位超低功耗逐次逼近型模数转换器，其中所述模数转换器包括：采样网络、与采样网络连接的差分电容阵列、与差分电容阵列连接的比较器、与比较器连接的逐次逼近控制逻辑；差分电容阵列包括连接比较器电路正相输入端的第一电容阵列和连接比较器电路反相输入端的第二电容阵列；第一电容阵列和第二电容阵列均由9组二进制结构的电容组成，且所有冗余电容的下极板选择连接共模电压或地，其余的8组电容选择连接共模电压、电源电压或地；逐次逼近控制逻辑的输出端控制差分电容阵列的电容开关的切换选择连接电压；第一电容阵列和第二电容阵列对输入信号进行采样且输入至比较器，比较器的比较结果输入至逐次逼近控制逻辑。
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公开(公告)号：CN103441125B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310284264.X
申请日：2013-07-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02 , H01L27/082 , H01L21/8222
Abstract: 本发明涉及电子电路及半导体技术，具体的说是涉及一种基于双向晶闸管的浪涌保护电路。本发明所述的一种基于双向晶闸管的浪涌保护电路，其特征在于，包括双向晶闸管、NPN型三极管和PNP型三极管，所述NPN型三极管的发射极和双向晶闸管的P型门连接、基极引出第一电极，所述PNP型三极管的发射极和双向晶闸管的N型门连接、基极引出第二电极，所述双向晶闸管的一端引出第三电极、另一端与NPN型三极管的集电极和PNP型三极管的集电极均接地。本发明的有益效果为，可以实现对单线路的双向可编程浪涌保护，同时可极大的减小芯片面积，从而降低生产成本。本发明尤其适用于浪涌保护电路。
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公开(公告)号：CN112510155A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011117881.7
申请日：2020-10-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种以低沸点试剂作为溶剂的全印刷碳基介观钙钛矿太阳能电池的制备方法，以低沸点试剂为溶剂配制钙钛矿前驱体溶液，然后将钙钛矿前驱体溶液填充到介孔层中，在室温条件下得到优质钙钛矿薄膜，制备出碳基介观钙钛矿太阳能电池器件，能够显著提高太阳能电池的填充因子、开路电压和稳定性，且制备工艺方法简单、无需退火、成本低廉，可重复性高，解决现有的钙钛矿材料光电性能不佳的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109831265A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910069398.7
申请日：2019-01-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04B17/382
Abstract: 本发明涉及一种基于空域滤波的宽带信号频谱感知方法和系统，该方法包括：构造阵列宽带信号的时域接收模型和频域接收模型；确定不出现虚假谱峰的最大阵元间距；根据所述最大阵元间距，结合利用TCT算法，通过构造聚焦矩阵将宽带信号变换到聚焦频点，融合窄带WMUSIC算法进行空间谱分析的信号检测；利用TCT算法中的去噪协方差矩阵对各频点构造新的变量，再结合窄带WMUSIC算法对所述信号进行角度的准确性估计。本发明突破了传统阵元间距取半波长的限制，增强了角度分辨率；减少了计算量；无需估计信源数便可得到阵列接收信号的空间谱；提高了信号入射角的准确性。
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公开(公告)号：CN103646965B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310726023.6
申请日：2013-12-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种JFET器件及其制造方法。本发明的JFET器件，其特征在于，所述P+栅极区1的结深为不均匀的，从靠近N+漏极区2的一端到靠近N+源极区3的一端P+栅极区1的结深逐渐增加。本发明的有益效果为，恒流特性较好，能够满足更小恒流精度的需求。本发明尤其适用于JFET器件及其制造。
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公开(公告)号：CN104201208A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410425842.1
申请日：2014-08-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/808 , H01L29/423 , H01L21/337
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种恒流JFET器件及其制造方法。本发明的恒流JFET器件，其特征在于所述P+表面栅极区5和P+背面栅极区2的结深为不均匀的，从靠近N+漏极区6的一端到靠近N+源极区7的一端P+表面栅极区5的结深逐渐增加，从靠近N+漏极区6的一端到靠近N+源极区7的一端P+背面栅极区2的结深也逐渐增加。本发明的有益效果为，恒流特性较好，能够满足更小恒流精度的需求。本发明尤其适用于恒流JFET器件及其制造。
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公开(公告)号：CN104124972A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410390039.9
申请日：2014-08-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03M1/38
Abstract: 本发明提供一种基于电荷再分配的10位超低功耗逐次逼近型模数转换器，其中所述模数转换器包括：采样网络、与采样网络连接的差分电容阵列、与差分电容阵列连接的比较器、与比较器连接的逐次逼近控制逻辑；差分电容阵列包括连接比较器电路正相输入端的第一电容阵列和连接比较器电路反相输入端的第二电容阵列；第一电容阵列和第二电容阵列均由9组二进制结构的电容组成，且所有冗余电容的下极板选择连接共模电压或地，其余的8组电容选择连接共模电压、电源电压或地；逐次逼近控制逻辑的输出端控制差分电容阵列的电容开关的切换选择连接电压；第一电容阵列和第二电容阵列对输入信号进行采样且输入至比较器，比较器的比较结果输入至逐次逼近控制逻辑。
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公开(公告)号：CN103972302A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410225045.9
申请日：2014-05-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/808 , H01L21/337
CPC classification number: H01L29/808 , H01L29/1058 , H01L29/66893
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种JFET器件及其制造方法。本发明的JFET器件在栅区一端引入了浅槽辅助层13，浅槽辅助层13靠近源端一侧，利用此浅槽辅助层13来减弱沟道调制效应，从而实现在宽电压输入范围内，输出电流的变化率小。本发明的有益效果为，在制作工艺并不复杂的基础上，器件的恒流特性较好，在宽电压输入范围内，输出电流的变化率很小，能够满足更小恒流精度的需求，特别适合小功率LED灯恒流驱动。本发明尤其适用于小功率LED灯恒流用JFET器件。
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