公开(公告)号：CN105140288B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201510579882.6

申请日：2015-09-11

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 邓小川 ,  梁坤元 ,  甘志 ,  刘冬冬 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种射频LDMOS器件，包含：P+衬底、P型外延层，衬底金属，P型外延层内部的P+sinker区、P阱、N‑漂移区、N+区、多晶硅，N‑漂移区的上方以及多晶硅的右侧上方设有法拉第罩，法拉第罩和漂移区之间有一层low k介质，low k介质材料的介电常数小于SiO2的介电常数；本发明在漂移区上方和法拉第罩下方的绝缘介质层使用low k材料，该结构可以有效降低法拉第罩靠近漏端边缘的高电场，与传统结构相比，本器件可以有效优化漂移区表面电场分布，使之更加均匀，提高器件的击穿电压；还可以降低器件源漏导通电阻，提高器件的输出功率。

公开(公告)号：CN105140288A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510579882.6

申请日：2015-09-11

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 邓小川 ,  梁坤元 ,  甘志 ,  刘冬冬 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种射频LDMOS器件，包含：P+衬底、P型外延层，衬底金属，P型外延层内部的P+sinker区、P阱、N-漂移区、N+区、多晶硅，N-漂移区的上方以及多晶硅的右侧上方设有法拉第罩，法拉第罩和漂移区之间有一层low k介质，low k介质材料的介电常数小于SiO2的介电常数；本发明在漂移区上方和法拉第罩下方的绝缘介质层使用low k材料，该结构可以有效降低法拉第罩靠近漏端边缘的高电场，与传统结构相比，本器件可以有效优化漂移区表面电场分布，使之更加均匀，提高器件的击穿电压；还可以降低器件源漏导通电阻，提高器件的输出功率。

公开(公告)号：CN105742365A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610235235.8

申请日：2016-04-14

Applicant: 东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 邓小川 ,  刘冬冬 ,  梁坤元 ,  甘志

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66568

Abstract: 本发明提供一种射频LDMOS晶体管，包含：P型外延层、背面金属电极、P阱、P+sinker区、N?漂移区、多晶硅栅极、栅氧化层，多晶硅栅极的上方右侧设有法拉第罩，法拉第罩包括阶梯状金属层和多个块状金属层，法拉第罩与半导体表面之间设有二氧化硅介质层；本发明还提供一种射频LDMOS晶体管的制作方法，包括步骤：形成P型外延层、P+sinker区、多晶硅栅极、P阱、N+源极、轻掺杂N?漂移区、N+漏极，淀积二氧化硅介质层，淀积金属层形成阶梯型金属层以及块状金属层，构成法拉第罩；本发明覆盖在漂移区上方的源场板面积更小，可以在不增加栅漏电容的前提下有效地减少器件的源漏电容，提高器件的频率特性，使电场分布更加均匀，并降低栅边缘的电场强度。

公开(公告)号：CN106783841B

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201710004433.8

申请日：2017-01-04

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 邓小川 ,  刘冬冬 ,  宋凌云 ,  童星 ,  万殊燕 ,  杨文驰 ,  谭犇 ,  张波

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06

Abstract: 本发明提供一种带有过热保护功能的射频LDMOS晶体管，包括集成在同一芯片上的SONOS器件、NPN BJT热传感器和射频LDMOS器件；SONOS器件栅极存储有正电荷；SONOS器件栅极通过金属连接至NPN BJT热传感器基极，为NPN BJT热传感器的发射结提供偏置；NPN BJT热传感器的集电极接在LDMOS栅极上，为LDMOS栅极提供电流泄放通道；由于本发明将射频LDMOS器件过热保护电路集成到了射频LDMOS芯片上且不需要独立的供电引脚，大大减小了射频系统的复杂性和从而降低了以射频LDMOS器件为核心的射频系统的制造和维护成本。

公开(公告)号：CN103123670A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201310066848.X

申请日：2013-03-03

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 黄曦 ,  吴鑫 ,  张俭 ,  郭晨光 ,  刘冬冬 ,  张建奇

IPC: G06F19/00

Abstract: 本发明公开了一种基于纹理的红外粗糙海面动态仿真的方法，主要解决现有技术红外粗糙海面仿真真实性和实时性低的问题。其实现过程是：利用Torrance-Sparrow光照模型，建立海面红外辐射亮度公式；用大气计算软件Atmosphere计算海面发射率、微面元分布概率、太阳辐射亮度、天空辐射亮度、大气路径辐射亮度和大气透过率；将计算结果存储为DDS纹理图，并利用Cg语言，将DDS纹理图写入材质脚本；通过GPU完成材质脚本的解析和编译，载入显存，形成执行代码；利用执行代码完成对红外粗糙海面的实时仿真。本发明具有物理真实性和实时性高等优点，可应用于海面背景的全景仿真，为海面目标的红外特征识别提供红外辐射主背景。

公开(公告)号：CN106783841A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710004433.8

申请日：2017-01-04

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 邓小川 ,  刘冬冬 ,  宋凌云 ,  童星 ,  万殊燕 ,  杨文驰 ,  谭犇 ,  张波

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06

Abstract: 本发明提供一种带有过热保护功能的射频LDMOS晶体管，包括集成在同一芯片上的SONOS器件、NPN BJT热传感器和射频LDMOS器件；SONOS器件栅极存储有正电荷；SONOS器件栅极通过金属连接至NPN BJT热传感器基极，为NPN BJT热传感器的发射结提供偏置；NPN BJT热传感器的集电极接在LDMOS栅极上，为LDMOS栅极提供电流泄放通道；由于本发明将射频LDMOS器件过热保护电路集成到了射频LDMOS芯片上且不需要独立的供电引脚，大大减小了射频系统的复杂性和从而降低了以射频LDMOS器件为核心的射频系统的制造和维护成本。